В рамках выставки nano tech 2013 компания Toshiba показала 300-мм полупроводниковую пластину со 128-Гбит микросхемами памяти типа NAND, которые выполнены с использованием 19-нм техпроцесса.

Помимо передовой производственной технологии, Toshiba также использует технологию многоуровневых ячеек с тремя битами на ячейку (3 bit per cell MLC). Для уменьшения интерференции между ячейками производитель применил структуру, изолирующую плавающие затворы и воздушные промежутки. Toshiba планирует использовать схожие технологии в своих техпроцессах следующих поколений.

Память с трёхуровневыми ячейками по количеству циклов перезаписи в несколько раз уступает чипам с двухуровневыми ячейками. Поэтому для накопителей корпоративного сегмента и для критических приложений она не подойдёт. А вот для потребительских USB-брелоков и карт памяти вполне может использоваться.

Источник: 3DNews