Ещё в начале января в предварительной программе конференции ISSCC 2013 появился анонс интересного совместного доклада компаний SanDisk и Toshiba о разработке первой в отрасли микросхемы ReRAM (резистивная память) ёмкостью 32 Гбит. И вот стали доступны некоторые подробные сведения о новинке.

Чип выпущен с использованием 24-нм техпроцесса. Площадь одной ячейки составляет 24 х 24 нм, а площадь всего кристалла — 130,7 мм2. Размер страницы памяти составляет 2 килобайта. Значения задержек для чтения и записи составляют 40 и 230 мкс соответственно.

В традиционной архитектуре ReRAM с перекрёстной точкой используются проводящие оксиды металлов. Селективные устройства располагаются в местах пересечения горизонтальных строк и вертикальных битовых линий, а ячейки формируются в одной плоскости с другими схемами. В новом чипе формируется двухслойный массив ячеек памяти на совместно разделяемых регистрах страниц и усилителях считывания. Это позволило повысить плотность размещения компонентов. Как отмечает источник, такой подход похож на технологию компании Matrix Semiconductor, которую купила SanDisk.

Новый чип пока находится на ранней стадии разработки и для коммерциализации потребуется ещё потратить много времени, отметили многие инженеры, слушавшие доклад.

Источник: 3DNews