Японская компания Toshiba Corporation заявила о разработке микросхем памяти типа SRAM, которые отличаются сверхнизкими токами утечки и, соответственно, высокой энергоэффективностью. Чипы XLL SRAM (eXtremely Low Leakage) выполнены на основе 65-нм техпроцесса и нацелены на использование в качестве высокоскоростной памяти в микроконтроллерах малой мощности. Новинки обеспечивают очень быстрый переход микроконтроллеров с глубокого спящего режима в активный.

Свою разработку Toshiba продемонстрировала в рамках конференции 2014 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Чипы XLL SRAM предлагают новый уровень энергоэффективности, что позволит применять их в носимой электронике и других портативных приборах. Проблема токов утечки в маломощных микроконтроллерах остаётся одной из самых трудноразрешимых на сегодняшний день, и компании Toshiba, как утверждается, удалось существенно продвинуться в её решении. Из-за больших токов утечки традиционные SRAM-чипы при переходе в экономичные режимы быстро теряют записанную информацию. В глубоком спящем режиме типичный микроконтроллер потребляет ток менее 1 мкА. Для того, чтобы информация сохранялась, требуется ток гораздо больше 1 мкА. Иногда SRAM для этих целей заменяют FRAM-памятью, но она намного медленнее и потребляет больше энергии в активном режиме.

XLL SRAM характеризуется токами утечки в тысячу раз меньшими по сравнению с традиционной SRAM (27 фемтоампер). На одном заряде батареи такая память способна хранить данные объёмом 100 Кбайт более десяти лет. Время доступа к данным в XLL SRAM составляет всего 7 нс.

Продукты с использованием новинки появятся уже в текущем году.

Источник: 3DNews