Хотя IBM и не делает преждевременных заявлений о том, что графен станет убийцей кремния в полупроводниковой индустрии, но это не останавливает инженеров и учёных компании от работ по созданию всё более быстрых графеновых транзисторов.

Недавно IBM продемонстрировала 155-ГГц графеновый транзистор, что превосходит предыдущий рекорд, поставленный ею же, когда с помощью графена был произведён 100-ГГц транзистор. Более того, в 155-ГГц транзисторе длина затвора составляла всего 40 нм, что на 200 нм меньше, чем в предыдущем 100-ГГц варианте.

Этот более мелкий и более быстрый транзистор создан для агентства передовых оборонных исследовательских проектов (DARPA) Министерства обороны США как часть исследовательского проекта по созданию высокопроизводительных транзисторов, работающих на частоте радиоволн. То есть вряд ли в ближайшее время эти технологии будут использоваться в домашних компьютерах, а вот в боевых машинах будущего — вероятно.

Источник: 3DNews