Компания SanDisk Corporation анонсировала свою 15-нм технологию, которая, по её утверждению, является самым передовым в мире техпроцессом для производства микросхем флеш-памяти. Использование этой технологии планируется в NAND-памяти с архитектурами «два бита на ячейку» (X2) и «три бита на ячейку» (X3), а массовое производство стартует во второй половине текущего года.

Как отметил старший вице-президент по технологиям памяти компании SanDisk Сива Сиварам (Siva Sivaram), переход на 15-нм техпроцесс позволит создать самый компактный и наиболее энергоэффективный в мире 128-Гбит чип.

Напомним, SanDisk в области флеш-памяти тесно сотрудничает с компанией Toshiba. Поэтому японский производитель также сегодня выпустил соответствующий пресс-релиз, представляющий новую 15-нм технологию. Очевидно, речь идёт об одной и той же совместной разработке, хотя в своих пресс-релизах партнёры друг друга не упоминают. Toshiba, в свою очередь, пообещала выпустить 128-Гбайт флеш-чипы с архитектурой «два бита на ячейку» уже в конце апреля. Производство будет налажено на заводе Fab 5 Yokaichi Operations. Несмотря на более компактные габаритные размеры, новые чипы будут иметь такие же скорости записи, как и микросхемы предыдущего поколения, выпущенные на базе 19-нм техпроцесса. При этом скорость передачи данных вырастет до 533 Мбит/с, то есть в 1,3 раза, благодаря внедрению высокоскоростного интерфейса. Наладить выпуск чипов с «тремя битами на ячейку» Toshiba пообещала к июню этого года.

Источник: 3DNews