Компания Micron Technology начнёт поставки памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для коммерческого использования в первом квартале 2015 года.

HMC — это многослойные модули, состоящие из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. При изготовлении чипов применяется технология Through Silicon Via (TSV), предусматривающей формирование медных каналов в многоуровневой структуре, выполняющих функции проводников.

В изделиях Micron TSV-соединения проходят сквозь чипы DRAM от логики, расположенной снизу, и предоставляют высокий уровень параллельных связей. По заявлениям разработчиков, по сравнению с DDR3 память HMC предоставляет 15-кратное увеличение производительности при уменьшенном на 70 % энергопотреблении. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз. Если сравнивать с новой памятью DDR4, то общая пропускная способность HMC оказывается в пять раз выше при существенно меньшем потреблении энергии.

Доступ к памяти осуществляется по новому высокоэффективному интерфейсу со скоростью передачи данных до 1 Тбит/с.

В настоящее время Micron поставляет тестовые образцы Hybrid Memory Cube ёмкостью 4 и 8 Гбайт компаниям, занимающимся разработкой серверных платформ и микропроцессоров. Ожидается, что поначалу память нового типа будет использоваться прежде всего в высокопроизводительных вычислительных системах. Затем она найдёт применение в потребительских устройствах, в том числе портативных и настольных компьютерах. 

Источник:

Источник: 3DNews