TSMC ускорит развитие 10-нанометровой технологии- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  TSMC ускорит развитие 10-нанометровой технологии

Новости

TSMC ускорит развитие 10-нанометровой технологии
09.07.2014, 14:21:02 
 

Компания TSMC, по сообщению DigiTimes, вынуждена ускорить развитие новых технологий производства микрочипов из-за усиливающейся конкуренции с Samsung.

Bohemian Nomad Picturemakers/Corbis

Bohemian Nomad Picturemakers/Corbis

В настоящее время и TSMC, и Samsung всецело заняты внедрением методики FinFET, которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой. При этом TSMC будет производить продукцию по нормам 16 нанометров, а Samsung — 14 нанометров. Причём последняя уже получила крупного заказчика в лице компании Qualcomm, которая отказалась от услуг TSMC (поговаривают, что причиной стало выделение существенной части производственных мощностей TSMC под нужды Apple).

В конце текущего года на предприятиях TSMC стартует пробное производство чипов по 16-нанометровой методике FinFET. К концу 2014-го TSMC также планирует представить 16-нанометровый техпроцесс FinFET+, который обеспечит улучшенные показатели энергопотребления чипов.

Charles O'Rear/Corbis

Charles O'Rear/Corbis

Так или иначе, массовый выпуск продукции по технологии FinFET компании TSMC и Samsung освоят не ранее начала 2015-го. В то же время участники отрасли говорят, что TSMC не ожидала столь активного внедрения новой методики со стороны южнокорейской компании. Это и вынудило TSMC ускорить развитие технологии следующего поколения с нормами в 10 нанометров.

Ранее сообщалось, что TSMC намерена сформировать специальное подразделение со штатом в 300–400 человек для разработки и внедрения 10-нанометровой методики. Пробный выпуск чипов по такой технологии планируется начать в 2015 году. 

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: