Ёмкость накопителей Samsung NVMe PCIe SSD на базе 3D V-NAND достигает 3,2 Тбайт- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Ёмкость накопителей Samsung NVMe PCIe SSD на базе 3D V-NAND достигает 3,2 Тбайт

Новости

Ёмкость накопителей Samsung NVMe PCIe SSD на базе 3D V-NAND достигает 3,2 Тбайт
25.09.2014, 08:50:22 
 

Компания Samsung анонсировала новые твердотельные накопители NVMe PCIe SSD, рассчитанные на использование в высокопроизводительных корпоративных серверах.

Устройства хранения данных, получившие обозначение SM1715, выполнены в виде карты расширения PCIe. При их производстве применяется инновационная технология 3D V-NAND, или Vertical NAND. Она предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. Причём надёжность по сравнению с обычными «двухмерными» изделиями возрастает в 2–10 раз.

Вместимость SM1715 составляет 1,6 и 3,2 Тбайт. По заявлениям Samsung, накопители обеспечивают скорость последовательного чтения информации до 3000 Мбайт/с и скорость последовательной записи — до 2200 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении достигает 750 000, при записи — 130 000.

По заявлениям производителя, накопители SM1715 рассчитаны на 10 полных перезаписей ежесуточно в течение пяти лет. Таким образом, устройства подходят для применения в серверных системах с высокой интенсивностью обмена данными. О цене накопителей не сообщается. 

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: