TSMC представила сверхэнергоэффективную платформу, нацеленную на производство широкого спектра чипов для рынков Интернета вещей и носимой электроники. В рамках этой платформы TSMC предлагает своим заказчикам несколько техпроцессов, нацеленных на минимальное энергопотребление, и полную экосистему проектирования чипов, позволяющую ускорить процесс вывода решений на рынок.

Техпроцессы для максимально энергоэффективных чипов расширены с существующих 180-нм (180eLL, extremely low leakage), 90-нм (90uLL, ultra low leakage) и 16-нм FinFET дополнительными предложениями: 55-нм (55ULP, ultra-low power), 40-нм (40ULP) и (28ULP). С помощью этих процессов производства возможно создание чипов с максимальной рабочей частотой до 1,2 ГГц.

Широкий спектр процессов производства сверхэнергоэффективных чипов от 180-нм до 16-нм FinFET предназначены для самых разных умных устройств на упомянутых рынках. Техпроцессы от 180-нм до 40-нм поддерживают также интеграцию радиомодулей и флеш-памяти на кристалл, благодаря чему возможно создание высокоинтегрированных решений для небольших устройств.

По сравнению с обычными энергоэффективными техпроцессами TSMC тех же поколений новые варианты обеспечивают дополнительное снижение рабочего напряжения чипов на 20—30% как в активном режиме, так и в режиме ожидания, благодаря чему можно добиться экономии энергопотребления в 2—10 раз, что весьма важно для носимых устройств и Интернета вещей, оснащающихся батареями низкой ёмкости. Разработка продуктов для 55ULP, 40ULP и 28ULP начнётся в 2014 году, а первое опытное производство — в 2015 году.

Источник:

Источник: 3DNews