В настоящее время существует несколько альтернативных технологий энергонезависимой памяти, которая теоретически может прийти на смену NAND-флеш. Одним из таких решений является так называемая память с изменяемым фазовым состоянием — PCM или PRAM. Но аналитики сомневаются в рыночных перспективах данной методики.

Напомним, что принцип работы РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух фазовых состояниях, характеризующихся стабильностью. В одном из них вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, в другом — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния служит сигналом о переключении между логическими нулём и единицей.

Разработку PCM-памяти вели такие компании, как Intel, Samsung, Micron и другие. Предполагалось, что со временем PCM сможет занять значительную долю рынка благодаря высокой скорости работы и продолжительному сроку службы. Но теперь это поставлено под сомнение.

Дело в том, что пока PCM-чипы значительно дороже NAND. К тому же сейчас активно внедряются технологии 3D-компоновки флеш-памяти, которые позволяют в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади и поднять надёжность. Благодаря такому подходу NAND-память ещё долгое время будет оставаться конкурентоспособной. Наконец, ряд компаний, включая Samsung и Micron, свернули ключевые проекты по разработке и внедрению PCM.

Всё это говорит о том, что память с изменяемым фазовым состоянием, вероятнее всего, станет нишевым продуктом, рассчитанным на ограниченное применение. 

Источник:

Источник: 3DNews