Корпорация Samsung Electronics сообщила о том, что первой на рынке начала серийное производство флеш-памяти 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой. Микросхемы предназначены для твердотельных накопителей.

На производственные конвейеры встали 128-Гбит чипы второго поколения, состоящие из 32 вертикальных плотно расположенных слоёв. По словам производителя, новая память по сравнению с традиционной двухмерной MLC NAND, изготовленной на основе 10-нм класса, может похвастать вдвое увеличенным ресурсом и пониженным на 20 % потреблением энергии. За счёт записи в каждую ячейку 3 бит данных вместо одного или двух можно заметно увеличить плотность размещения информации.

В настоящее время Samsung уже поставляет партнёрам готовые твердотельные накопители на базе новой памяти. В будущем году южнокорейский гигант намерен освоить производство 256-Гбит памяти 3D V-NAND, а в перспективе перейти на выпуск 100-слойных чипов ёмкостью 1 Тбит.

По мнению руководства Samsung, память 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой способна совершить настоящий прорыв в IT-индустрии, ускорив переход от жёстких дисков к SSD-устройствам. Кроме того, при помощи новой памяти компания надеется повысить конкурентоспособность своего SSD-бизнеса.

Согласно данным аналитиков DRAMeXchange за второй квартал 2014 года, Samsung контролирует около 30,8 % мирового рынка чипов памяти NAND flash. 

Источник:

Источник: 3DNews