p>Флеш-память типа TLC, способная хранить сразу 3 бита информации в одной ячейке, снискала себе недобрую славу: во-первых, малым количеством циклов перезаписи, а во-вторых, не слишком быстрой работой на запись. Все ещё помнят недавний скандал с линейкой твердотельных дисков Samsung 840 EVO, и хотя прямой вины TLC в той «эпидемии» падения производительности, охватившей линейку EVO, нет, уровень доверия к этому типу флеш-памяти среди пользователей серьёзно упал. И, как может оказаться, не только среди пользователей. Компания Apple применяет чипы TLC NAND в некоторых моделях своих продуктов, в частности, в iPhone 6 Plus, что позволяет ей пусть немного, но экономить — примерно 5 центов на гигабайт флеш-памяти.

Недавний скандал с «гнущимися iPhone» не пошёл компании на пользу, и вряд ли Apple хочет снова рисковать собственной репутацией. Но недавние случаи сбоев в работе 128-гигабайтных моделей iPhone заставляют насторожиться, поскольку в их основе может лежать всё та же злополучная TLC. Для обеспечения надёжности флеш-памяти в своих продуктах Apple использует технологию MSP (Memory Signal Processor), позаимствованную у приобретённой ранее в 2012 году компании Anobit. В совокупности с TLC это позволяет компании создавать сверхтонкие устройства с огромным, по меркам прошлого, объёмом флеш-хранилища. Но сообщения от пользователей iPhone, столкнувшихся с бесконечной перезагрузкой или крахом системы, продолжают поступать, и обновление до iOS 8.1 проблемы не решает.

Сама компания пока отказывается давать официальные комментарии по этому поводу, а без тщательного исследования сложно сказать, что же является виной массовых отказов старших моделей iPhone с большим банком флеш-памяти. Не исключено, что повторяется история Samsung и прямой вины на TLC не лежит, а виноватым может оказаться какая-то неучтённая недоработка в контроллере, обслуживающем эту память. Некоторые источники предрекают будущий отказ Apple от TLC NAND, но эти предсказания носят характер слухов. И даже если вина TLC будет доказана, у Apple есть вариант перехода на 3D V-NAND, которая благодаря грубому по нынешним меркам техпроцессу (40 нанометров) обладает отличными показателями надёжности, но при этом обеспечивает серьёзную удельную ёмкость, порядка 86 гигабит на кристалл.

Источник:

Источник: 3DNews