p>Вокруг технологии фотолитографии с использованием экстремального ультрафиолета (EUV) кипят споры, и немудрено — это одна из тех технологий, которая должна позволить разработчикам микроэлектроники достичь (и преодолеть) барьера десяти нанометров. Учитывая то, что 14 и 16-нанометровые техпроцессы уже вовсю осваиваются такими гигантами полупроводникового рынка, как Intel, Samsung и TSMC, о 10-нанометровых технологиях надо не просто думать уже сейчас, а вовсю готовиться к их пришествию. Что и делает компания TSMC, заказавшая совсем недавно у ASML Holding ещё два комплекса литографических сканеров, работающих в диапазоне EUV.

В следующем году этот крупнейший производитель оборудования для микроэлектронной промышленности должен будет обеспечить поставку TSMC двух комплексов NXE:3350B, а также подвергнуть серьёзной модернизации существующие комплексы NXE:3300B, чтобы довести их уровень производительности до более новой модели. В итоге крупнейший контрактный производитель микрочипов сможет начать массовое коммерческое производство с использованием 10-нанометровых технологических норм уже в 2016, на худой конец — в 2017 году. Как видите, чуда не произошло, и, в отличие от Intel, TSMC делает ставку на экстремальный ультрафиолет.

Работающие ныне сканеры NXE:3300B, установленные на различных полупроводниковых фабриках по всему миру, используют источники излучения мощностью 80 ватт и могут обрабатывать до 500 кремниевых пластин в день. За счёт модернизации, заключающейся в установке более мощных 125-ваттных излучателей, их производительность можно будет довести до уровня систем нового поколения, составляющего более тысячи пластин в день. Этого практически достаточно для коммерческого использования. А в 2016 году планируется переход на 250-ваттные излучатели, что позволит довести производительность и до полутора тысяч пластин в день.

Планы ASML достаточно выглядят чётко и прозрачно: их успешность целиком зависит от того, будут ли созданы и установлены вовремя новые мощные источники излучения. Но ряду других поставщиков оборудования для производства современных полупроводниковых схем потребуется серьёзная доработка своих технологий для перехода от 10-нанометровых к 7-нанометровым производственным нормам. А ведь Intel и некоторые другие крупные производители сложных микросхем планируют использование экстремальной ультрафиолетовой литографии лишь начиная с 7-нанометрового техпроцесса. Так что в этой цепочке важно каждое звено. Осталось дождаться 2015-2016 года, чтобы сказать, насколько успешно пройдёт воплощение в жизнь планов TSMC и других игроков на этом рынке.

Источник:

Источник: 3DNews