AMD: 20-нм техпроцесс будет использован лишь для некоторых продуктов- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  AMD: 20-нм техпроцесс будет использован лишь для некоторых продуктов

Новости

AMD: 20-нм техпроцесс будет использован лишь для некоторых продуктов
07.12.2014, 10:51:58 
 
p>Advanced Micro Devices на этой неделе намекнула, что 20-нм техпроцесс компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. будет использован только для некоторых продуктов AMD, тогда как основное внимание разработчика микросхем будет сфокусировано на более совершенных технологиях производства. К сожалению, никаких фактических планов раскрыто не было.

Вследствие некоторых высказываний высшего руководства Advanced Micro Devices принято считать, что компания планирует представить широкую линейку продуктов, изготавливаемых по не очень перспективной 20-нм технологии на фабриках TSMC, а лишь затем начнёт применять более совершенную 16-нм технологию, использующую транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET). На практике оказывается, что 20-нм технологический процесс TSMC будет использован ограниченно, тогда как прогрессивные технологии с FinFET транзисторами будут применяться более широко.

«Основная масса продукции, которую мы продаём сейчас, производится по 28-нм техпроцессам», — сказал Девиндер Кумар (Devinder Kumar), финансовый директор компании Advanced Micro Devices, во время своего выступления на ежегодной технологической конференции Credit Suisse. «У нас будут некоторые продукты, производимые по технологии 20 нм, а затем мы приступим к использованию техпроцессов с FinFET-транзисторами».

Микросхемы, произведённые TSMC в производственном комлпексе Fab 14

Микросхемы, произведённые TSMC в производственном комлпексе Fab 14

Как уже сообщалось, три новейших техпроцесса TSMC — 20nm SOC (CLN20SOC), 16nm FinFET (CLN16FF) и 16nm FinFET+ — используют одни и те же межблочные соединения, контакты, диэлектрики и т. п. (т. н. back end of line, BEOL), но различаются применением транзисторов с вертикально расположенным затвором (FinFET) у двух последних против обычных плоских (планарных) транзисторов у первого. Хотя геометрически чипы, произведённые по всем трём технологиям, идентичны, FinFET-транзисторы позволяют поднять тактовые частоты и/или снизить энергопотребление микросхем. Таким образом, для высокопроизводительных и мобильных решений предпочтительнее применять более прогрессивные технологии производства, использующие транзисторы с вертикально расположенным затвором.

Впрочем, когда мы говорим о 16-нм технологиях TSMC, следует понимать, что компания начнёт массовое производство с их применением лишь в конце второго – начале третьего квартала будущего года. Как следствие, первые коммерческие продукты, изготовленные с применением 16-нм норм на фабриках TSMC, увидят свет в августе – сентябре 2015 года. Таким образом, для определённых микросхем, чей запуск должен состояться в начале года, вполне логично применить 20-нм технологический процесс.

Перспективный план AMD в области мобильных устройств

Перспективный план AMD в области мобильных устройств

Согласно уже обнародованным перспективным планам AMD на 2015 год, все микросхемы APU для массового рынка — Carrizo, Carrizo-L, Kaveri и Seattle — будут изготавливаться различными контрактными производителями с использованием норм 28 нм. По всей видимости, лишь в 2016 году компания сможет представить APU, которые будут производиться по 16-нм FinFET процессу на TSMC или по 14-нм FinFET технологии на GlobalFoundries.

Согласно данным, раскрытым AMD ранее, лишь некоторые графические чипы Radeon, системы на чипе SkyBridge, а также системы на чипе для игровых приставок будут производится с применением 20-нм технологии на фабриках TSMC. К сожалению, никакой конкретной информации о планах AMD по широкому внедрению 16-нм и 14-нм техпроцессов на сегодняшний день нет. 

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: