p>В распоряжении сетевых источников оказалась новая информация о твердотельных накопителях Samsung 850 EVO SSD, рассчитанных на потребительский рынок.

Сообщается, что в основу новых устройств хранения данных лягут микрочипы 3D V-NAND. Данная методика предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными «двухмерными» изделиями возрастает при этом в 2–10 раз.

Итак, сообщается, что в семейство Samsung 850 EVO SSD войдут накопители вместимостью 120, 250, 500 и 750 Гбайт, а также 1 Тбайт. Они будут выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе в корпусе толщиной 7 мм. Такое исполнение позволит устанавливать устройства в десктопы, ноутбуки и ультрабуки. Интерфейс подключения к компьютеру — Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Отмечается, что накопители Samsung 850 EVO SSD будут несколько медленнее устройств семейства 850 Pro. Последние обеспечивают скорость последовательного чтения и записи информации до 550 и 520 Мбайт/с соответственно.

Анонс Samsung 850 EVO SSD ожидается в январе следующего года. Вероятно, накопители будут демонстрироваться на выставке CES 2015, которая с 6 по 9 января пройдёт в Лас-Вегасе (Невада, США). 

Источник:

Источник: 3DNews