Renesas применила технологию 16nm FinFET при изготовлении памяти SRAM- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Renesas применила технологию 16nm FinFET при изготовлении памяти SRAM

Новости

Renesas применила технологию 16nm FinFET при изготовлении памяти SRAM
17.12.2014, 17:19:40 
 
p>Компания Renesas Electronics объявила о создании новых микрочипов памяти SRAM, рассчитанных на использование в автомобильной сфере.

SRAM — статическая память с произвольным доступом, применяющаяся в микроконтроллерах и ПЛИС, в которых объём ОЗУ невелик, но требуется низкое энергопотребление. Преимуществом SRAM является то, что доступ к любой ячейке памяти в любой момент занимает одно и то же время. При этом микросхемы SRAM являются энергозависимыми.

Новые чипы SRAM, созданные специалистами Renesas, будут производиться по 16-нанометровой технологии с применением транзисторов с объёмной структурой FinFET. Благодаря использованию FinFET-совместимой схемотехники, удалось добиться высокого быстродействия при низком энергопотреблении.

Новые микрочипы функционируют при напряжении питания 0,7 В, а заявленное время отклика составляет 641 пикосекунду.

SRAM-чипы, выполненные по методике 16nm FinFET, будут применяться в качестве кеша в процессорных ядрах и блоках обработки изображений в автомобильных навигаторах нового поколения, бортовых информационно-развлекательных комплексах и системах анализа информации от датчиков и камер. 

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: