p>Как мы уже знаем, крупнейший контрактный производитель полупроводниковых чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company задерживает массовый ввод в строй технологии 16-нм FinFET как минимум на несколько кварталов. В результате, компании пришлось пересмотреть и планы относительно сроков начала массового производства 10-нанометровых чипов. Изначально считалось, что это будет конец 2016 года, но теперь официальное мнение компании указывает на 2017 год.

Тем не менее, как отметил президент компании Марк Лю (Mark Liu), темпы разработки и квалификационного тестирования остаются прежними. Сдвинуты лишь сроки начала массового производства. Согласно данным TSMC, применение 10-нанометрового процесса FinFET позволит на 25 % поднять частоты в сравнении с 16-нанометровым техпроцессом FinFET Plus при одинаковом уровне энергопотребления. Энергоэффективность должна вырасти на 45 %, а плотность расположения элементов на кристалле — в 2,2 раза. Первые образцы таких чипов должны появиться уже в четвёртом квартале 2015 года.

Пока о разработке 10-нанометрового техпроцесса FinFET известно немного, поскольку он ещё находится на стадии активной разработки, но очевидно, что он не будет иметь никакого отношения к 20-нанометровой технологии, в отличие от техпроцесса 16FF. Следовательно, в 2017 году с развёртыванием нового техпроцесса удастся снизить не только размер кристалла, но и понизить стоимость в пересчёте на транзистор, от чего компании, не имеющие своего полупроводникового производства, только выиграют. А пока остаётся ждать начала массового производства чипов по техпроцессу 16FF, что намечено на четвёртый квартал текущего года. 

Источник:

Источник: 3DNews