p>Компании Toshiba и SK Hynix подписали на днях договор, главной целью которого является совместная разработка нового процесса литографии — так называемой «наноимпринтинговой литографии» (nanoimprint lithography, NIL). Оба производителя планируют начать использовать новую технологию уже в 2017 году и оба же считают, что она позволит существенно оптимизировать себестоимость производства DRAM, NAND и других типов памяти.

Технология NIL — один из главных кандидатов в деле миграции производства памяти на новые техпроцессы. Сейчас в их производстве применяется традиционная фотолитография, использующая лазеры и фоточувствительные маски для нанесения соответствующего «рисунка» на полупроводниковые подложки. Наноимпринтинговая литография позволяет наносить нужные «узоры» напрямую, путём прессовки с помощью специального шаблона, при котором полупроводниковый «рисунок» создаётся путём механической деформации наносимого резиста — специального полимера или мономера.

Считается, что NIL может помочь в деле дальнейшего уменьшения размеров полупроводниковых элементов в рамках создания более тонких техпроцессов. Команда инженеров Toshiba и SK Hynix в апреле этого года начнёт разработку базовых технологий на предприятии Toshiba Yokohama Complex в городе Йокогама, Япония. Повторимся, стадии практического применения новая технология должна достигнуть в 2017 году. Toshiba уже разработала некоторое оборудование и материалы для техпроцесса NIL, но совместное предприятие с SK Hynix позволит ускорить прогресс в этой области и вывести технологию на рынок раньше. Кроме того, оно снимет с плеч Toshiba часть финансовой нагрузки.

Источник:

Источник: 3DNews