p>Компания Rambus заявила о разработке микросхем PHY (микросхемы физического уровня модели OSI) для памяти DDR3 и DDR4 на основе 28-нм передового Low Power Plus-техпроцесса Samsung. Предложенный дизайн описан на системном уровне и может легко интегрироваться в SoC-решения.

Новая разработка призвана удовлетворить растущие требования к скоростям передачи данных и пропускной способности памяти в облачных и других ресурсоёмких сетевых приложениях. PHY-чипы Rambus полностью совместимы со стандартными интерфейсами DDR3 и DDR4. Они нацелены, в первую очередь, на серверные системы, но могут использоваться и в потребительских устройствах. Помимо высокой производительности (от 800 до 3200 Мбит/с для DDR4), новинки характеризуются также высокой энергоэффективностью.

Rambus совместно с Samsung предлагают для производителей полный набор инструментов, включая комплекты разработчика PDK, DFM, библиотеки логических схем. Первые решения на базе Rambus R+ DDR4/3 PHY должны появиться в ближайшее время.

Источник:

Источник: 3DNews