TLC составит половину от всей поставляемой NAND флеш-памяти к концу 2015- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  TLC составит половину от всей поставляемой NAND флеш-памяти к концу 2015

Новости

TLC составит половину от всей поставляемой NAND флеш-памяти к концу 2015
06.04.2015, 00:03:58 
 
p>Энергонезависимая флеш-память типа NAND с трёхуровневыми ячейками (triple-level cell, TLC) существенно уступает более традиционной памяти с двухуровневыми ячейками (multi-level cell, MLC) в том, что касается долговечности и производительности. Однако такая память также существенно дешевле в производстве, что влияет на её популярность среди производителей. Согласно анализу DRAMeXchange, к концу года доля TLC в поставках всей NAND флеш-памяти составит примерно половину.

«В прошлом TLC NAND флеш-память широко использовалась в картах памяти, USB-накопителях и разных других внешних устройствах вследствие относительно низкой цены, но времена изменились», — сказал Шон Янг (Sean Yang), один из вице-президентов DRAMeXchange и глава подразделения по исследованию рынка NAND флеш-памяти. «Samsung активно продвигала TLC на рынки eMMC/eCMP и SSD, начиная с 2013 г. Своим увеличением занимаемой доли рынка в 2014 году Samsung заставила конкурентов также разрабатывать соответствующую продукцию на базе TLC NAND».

300-мм подложка с микросхемами TLC NAND производства Intel Micron Flash Technologies

300-мм подложка с микросхемами TLC NAND производства Intel Micron Flash Technologies

Современная MLC NAND флеш-память может выдержать около 3000 циклов перезаписи/стирания, тогда как для TLC NAND это значение составляет лишь 1000 циклов. Хотя этого достаточно для таких приложений, как карты памяти, чтобы построить по-настоящему надежный твердотельный накопитель на базе TLC, производителям требуется использовать новые контроллеры для накопителей, специальные прошивки и т.д. Вследствие низкой стоимости TLC NAND (на 15–25 процентов ниже, чем MLC), многие компании уже вложили существенные суммы в развитие продвинутых контроллеров для накопителей на основе TLC.

Именно благодаря развитию контроллеров, применение TLC NAND в смартфонах, планшетах и других устройствах неуклонно растёт вот уже несколько кварталов подряд. К примеру, некоторые модели Apple iPhone 6 уже используют энергонезависимую флеш-память типа NAND с трёхуровневыми ячейками.

По мнению аналитиков DRAMeXchange, прогресс контроллеров SSD в целом решил прежние проблемы с TLC, такие как долговечность и производительность. Это сделало возможным создавать массовые твердотельные накопителе на основе такой флеш-памяти для персональных компьютеров. Так, Samsung предлагает SSD на основе флеш-памяти типа NAND с трёхуровневыми ячейками вот уже более года, а целый ряд клиентов компании представил аналогичные решения в последние месяцы.

Доли разных типов NAND флеш-памяти в поставках, согласно DRAMeXchange

Доли разных типов NAND флеш-памяти в поставках, согласно DRAMeXchange

В связи с увеличением использования TLC NAND в мобильных устройствах, бытовой технике и SSD, спрос на такой тип памяти будет увеличиваться, а значит, будут расти и поставки. В результате, уже в третьем квартале около 44 % всей NAND флеш-памяти будет относиться к типу TLC. В четвёртом квартале доля энергонезависимой флеш-памяти типа NAND с трёхуровневыми ячейками составит уже 45 %.

По словам господина Янга, предложение NAND флеш-памяти на рынке будет превышать спрос в течение первой половины этого года. Ситуация изменится в лучшую сторону для производителей памяти лишь во второй половине 2015 года, когда Apple представит следующие поколения своих телефонов и планшетов.

Источники:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: