p>Крупнейший контрактный производитель микроэлектроники на планете, компания TSMC опубликовала заявление, в котором отрицается возможность задержек как опытного, так и массового производства чипов с использованием 10-нанометрового техпроцесса. Компания намеревается начать коммерческое производство таких микросхем ближе к концу следующего года, а значит, клиенты получают первые 10-нанометровые микросхемы уже в первом квартале 2017 года.

Необходимо отметить, что начало производства не означает автоматически начала массовых поставок. Производственный цикл сложного микрочипа, создаваемого с использованием техпроцесса 10-нм FinFET, занимает более 100 дней, начиная от голой кремниевой подложки и заканчивая поставкой готового изделия. А значит, клиенты TSMC, рассчитывающие на новый техпроцесс, действительно смогут получить свои первые заказы не ранее первого квартала 2017 года. По-настоящему масштабное производство с использованием нового техпроцесса начнётся лишь в конце первого квартала или даже начале второго квартала 2017 года.

TSMC также раскрыла различные целевые характеристики техпроцесса 10-нм FinFET (CLN10FF) для различных случаев, а значит, окончательной версии этих характеристик ещё не существует. В настоящее время TSMC считает, что техпроцесс CLN10FF позволит увеличить плотность расположения транзисторов на 110–120 % в сравнении с процессом CLN16FF+, на 15 % увеличить частотный потенциал при неизменном уровне энергопотребления, либо снизить последний параметр на 35 % при неизменной частоте и сложности. Ранее TSMC придерживалась более оптимистичных прогнозов, в частности, речь шла о 20 % прироста в частотном потенциале и 40 % снижении уровня энергопотребления.

При проектировании 10-нанометрового техпроцесса TSMC сконцентрировала основные усилия на повышении плотности размещения транзисторов, что должно снизить стоимость новых изделий в пересчёте на транзистор. Применяемый в настоящее время 16-нанометровый техпроцесс TSMC использует BEOL (back-end-of-line, межблочные соединения, контакты и диэлектрики), изначально разработанные для 20-нанометрового техпроцесса, а значит, производимые с его использованием чипы имеют те же габариты, что и полностью использующие 20-нанометровые технологические нормы. В итоге, для многих разработчиков, не располагающих собственными производственными мощностями, 16-нанометровые технологии TSMC слишком дороги в пересчете «на транзистор», в том числе и из-за использования FinFET.

Надо сказать, что преимущества 10-нанометрового техпроцесса TSMC в сравнении с 16-нм FinFET (CLN16FF) выглядят не слишком впечатляюще. Более того, новая версия 16-нанометрового техпроцесса, CLN16FF+, способна обеспечить те же преимущества — порядка 15 % выигрыша в тактовой частоте или до 30 % снижения уровня энергопотребления.

Источник:

Источник: 3DNews