p>Спрос на флеш-память в мире растёт по мере того, как растёт популярность твердотельных накопителей, которые в наши дни используются буквально везде — от смартфонов до крупных ЦОД. Компании SanDisk и Toshiba активно прокладывают себе путь к началу массовых поставок памяти BiCS (bit cost scalable) 3D NAND, запланированному на 2016 год. Совсем недавно эти компании начали закупку оборудования для производства многослойных чипов NAND и собираются запустить пилотное производство уже в этом году.

Производиться новая память будет на специально построенной для этого фабрике в префектуре Миэ, Япония. Партнёры никогда не сообщали данных о возможностях нового производства, однако отмечали, что площадь «чистых комнат» будет наращиваться в несколько фаз с учётом процесса перевода производственных мощностей с 2D NAND на 3D NAND. Ожидается, что производительность новой фабрики «будет отражать рыночные тенденции». Кроме того, ряд мощностей fab 5 phase 1 и 2 будут переведены на производство 3D NAND.

Структура BiCS NAND состоит из 48 слоёв «линий слов» (word lines) в устройстве ёмкостью 128 Гбит. Каждая ячейка содержит 2 бита данных. Особенности технологии, такие как U-shaped NAND string, позволяют делать чипы BiCS NAND меньше и дешевле решений, основанных на других разновидностях 3D NAND. А по сравнению с обычной планарной флеш-памятью новые чипы обладают повышенной надёжностью и более высокой скоростью записи. Изначально BiCS NAND будет использована альянсом SanDisk и Toshiba в производстве съёмных накопителей, затем — в пользовательских SSD и встраиваемых решениях, после чего очередь дойдёт и до решений класса enterprise. Как ожидает SanDisk, к концу 2016 года доля 3D NAND на рынке флеш-памяти составит от 15 до 20 процентов. К тому же сроку около 15 % всей флеш-памяти, производимой SanDisk, будет многослойной.

Источник:

Источник: 3DNews