p>В какой-то мере переход на производство многослойной памяти 3D NAND стал вынужденным шагом. Ячейка NAND-флеш при уменьшении масштаба производства до норм менее 10 нм больше не могла устойчиво сохранять записанные данные. Число электронов в ячейке оказывалось слишком мало, чтобы отличить заряд от шума. Между тем требовалось снижать себестоимость производства флеш-памяти, а делать это за счёт увеличения плотности записи (снижая площадь кристалла) оказалось экономически невыгодно. Поэтому после освоения 15/16-нм техпроцессов производства флеш-памяти производители начали наращивать число слоёв в микросхемах. Хотелось бы думать, что это враз уменьшит себестоимость решений и быстро удешевит SSD. Но это не так.

Как признались в компании Samsung в ходе демонстрации третьего поколения памяти 3D V-NAND, себестоимость многослойных микросхем опустилась ниже себестоимости планарной флеш-памяти только год назад. Фактически Samsung говорит о том, что с осени 2013 года по лето 2014 года она продавала SSD серии 850 EVO на памяти 3D V-NAND себе в убыток. При этом за всё время выпуска 3D V-NAND компания реализовала 5 млн SSD на памяти 3D V-NAND. Это впечатляющая цифра. Можно с уверенностью сказать, что компания внесла свою лепту в дело снижения цен на твердотельные накопители и подтолкнула к началу освоения производства 3D NAND конкурентов. Было ли это просто? Отнюдь.

По мнению аналитика компании MKW Ventures Марка Уэбба (Mark K. Webb), при производстве 3D V-NAND в брак уходит до половины чипов с каждой обработанной пластины. Приемлемым уровнем брака для массового производства полупроводников считается 5–8 %. Уровень брака в 50 % — это высокая цена практического внедрения новой технологии, а ведь Samsung выпускает 3D V-NAND уже два года подряд. Также следует сказать, что стоимость обработки пластины с памятью 3D V-NAND примерно на 70 % выше стоимости обработки пластины с планарной флеш-памятью. Увеличение числа слоёв с 32 до 48 (в случае компании Samsung) сделает обработку дороже ещё на 5–10 %, хотя рост ёмкости вдвое (со 128 Гбит до 256 Гбит) нивелирует прирост и в целом снизит себестоимость 3D V-NAND по отношению к ценам на планарную память.

На фоне вышесказанного неудивительно, что конкуренты не спешили тратить огромные ресурсы на переход к выпуску многослойной памяти, хотя в итоге им тоже придётся этим заниматься. Совместные усилия многих компаний принесут больше плодов, но вряд ли мы ощутим эффект через год или два. К 2020 году производители планируют освоить производство 100–200-слойных микросхем. Быть может, к этому времени терабайтные SSD станут по карману широкой публике.

Источник:

Источник: 3DNews