Новый флагманский смартфон HTC O2 на Snapdragon 820 выйдет в 2016 году- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Новый флагманский смартфон HTC O2 на Snapdragon 820 выйдет в 2016 году

Новости

Новый флагманский смартфон HTC O2 на Snapdragon 820 выйдет в 2016 году
21.08.2015, 07:52:26 
 
p>В связи с разочаровывающими продажами HTC One M9 акции тайваньской компании упали до рекордно низкого уровня. Вслед за этим HTC объявила об убытках во втором квартале, последовавших за четырьмя прибыльными кварталами подряд. На встрече с акционерами Шер Вонг (Cher Wang), назначенная на пост генерального директора компании в марте этого года, сообщила о планах начать выпуск новой переработанной флагманской модели смартфона.

Шер заявила акционерам, что HTC будет выпускать «геройский» смартфон, что обычно означает устройство high-end-категории с высокой функциональностью. Один из генераторов утечек информации уже заявил в Твиттере, что это будет «удивительное» устройство.

Согласно последним утечкам информации, появившимся в Сети, новый смартфон получит название HTC O2. Устройство будет основано на чипсете Snapdragon 820, изготовленном с использованием 14-нм FinFET-процесса Samsung. Чипсет получит четыре ядра Hydra, разработанные Qualcomm. Snapdragon 820 будет отличаться более высокой производительностью при более экономном расходовании энергии, и, что немаловажно, не иметь проблем с перегревом, наблюдаемых у Snapdragon 810.

Смартфон HTC O2 будет заключён в цельнометаллический корпус. Первоначально сообщалось, что новинка будет использовать Snapdragon 810, и релиз её намечен на октябрь. Однако последние слухи изменили сроки выхода смартфона. С чипом Snapdragon 820 на борту смартфон HTC O2 может выйти в конце первого квартала 2016 г.  

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: