p>Первые коммерческие твердотельные накопители, основанные на недавно анонсированной энергонезависимой памяти 3D XPoint, ещё не появилась на рынке, но компании Intel и Micron Technology уже работают над вторым поколением памяти данного типа. Кроме того, Micron разрабатывает полностью новую технологию, которая обещает сократить разницу в производительности между динамической памятью с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и энергонезависимой памятью.

Корпорация Micron Technology рассказала на Intel Developer Forum ранее в этом месяце, что ведёт разработку второго поколения 3D XPoint, второго поколения многослойной трёхмерной NAND флеш-памяти (3D NAND), а также некоего принципиально нового типа памяти, подробности о котором не раскрываются. Micron сотрудничает с Intel в создании 3D XPoint и 3D NAND, но не ясно, работают ли компании вместе и над новой технологией, известной как New Memory B Gen 1 (новая память «Б» первого поколения).

Второе поколение памяти 3D XPoint будет представлено в 2016 году, как и второе поколение 3D NAND. Ожидается, что новый тип памяти «Б» будет анонсирован в 2017 году.

Различия между первым и вторым поколениями 3D XPoint неизвестны. Первая реализация 3D XPoint обещает быть в десятки или сотни раз быстрее обычной NAND флеш-памяти с точки зрения скорости доступа к данным (латентности) и скоростей записи и чтения. Кроме того, 3D XPoint обладает более длительным сроком службы по сравнению с NAND благодаря большей износоустойчивости её ячеек памяти. Тем не менее, одна из вещей, где NAND превосходит новый тип памяти — это ёмкость. Современное NAND-устройство может хранить 256 Гбит данных, тогда как первые микросхемы 3D XPoint будут иметь ёмкость в 128 Гбит. Вполне возможно, что в случае со вторым поколением разработчики сосредоточатся на увеличении плотности записи, а не на существенном увеличении производительности (впрочем, при увеличении плотности вырастет и производительность). Более высокие ёмкости чипов 3D XPoint помогут сделать накопители на их базе дешевле в пересчёте на гигабайт данных, что расширит их возможности на рынке.

Хотя 3D XPoint быстрее, чем NAND, DRAM на порядок превосходит новый тип памяти по части скорости доступа и существенно опережает по части пропускной способности. В Micron считают, что латентность энергонезависимой памяти — серьёзный вызов для всех типов новых технологий памяти.

Скотт Грэм (Scott Graham), генеральный менеджер подразделения Micron, занимающегося разработкой гибридных типов памяти, рассказал на IDF, что главной отличительной особенностью New Memory B gen 1 станет увеличенная производительность по сравнению с 3D XPoint. Новая память «Б» первого поколения относится к возникающему классу памяти накопителей (storage class memory), который сочетает в себе высокую плотность записи, энергонезависимость и производительность. Судя по всему, новый тип сократит разрыв в производительности энергонезависимой памяти с DRAM, что поможет решать новые вызовы в индустрии.

«По мере того, как мы разрабатываем новые технологии памяти и учимся на 3D XPoint, мы получаем возможность развивать 3D XPoint дальше», — сказал господин Грэм во время презентации. «В будущем мы представим последующие версии этой технологии и другие технологии, которые могут вписаться в наш перспективный план [для решения вызовов индустрии]».

Micron, как ожидается, представит свои продукты на основе первого поколения 3D XPoint в ближайшие пару месяцев и начнёт их поставки в 2016 г. Второе поколение 3D XPoint будет анонсировано в следующем году, но попадёт на рынок лишь в 2017-м. Про память New Memory B Gen 1 известно крайне мало, но, если она будет официально представлена в 2017 г., то её появление на рынке в виде коммерческих устройств можно ожидать где-то в 2018–2019 годах. Учитывая, что новая память «Б» первого поколения будет обладать увеличенной производительностью, для её коммерциализации потребуется создание и внедрение новых интерфейсов передачи данных, что может «отодвинуть» её массовое использование на 2019–2020 годы.

Святой Грааль компьютерной памяти — энергонезависимая память с производительностью DRAM. Такой тип памяти вряд ли появится на рынке в ближайшее время, потому что независимо от того, насколько быстро развивается энергонезависимая память, DRAM не стоит на месте. Впрочем, возможно, случится чудо и в ближайшие годы мы увидим прорыв в указанном направлении…

Источники:

Источник: 3DNews