IBM взяла ещё один барьер на пути к транзисторам из углеродных нанотрубок- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  IBM взяла ещё один барьер на пути к транзисторам из углеродных нанотрубок

Новости

IBM взяла ещё один барьер на пути к транзисторам из углеродных нанотрубок
04.10.2015, 13:09:04 
 
p>Летом этого года компания IBM завершила передачу двух своих заводов компании GlobalFoundries. Тем самым, помимо прочего, компания лишилась опытного производства в Ист-Фишкилл (East Fishkill), где она обкатывала разработки, относящиеся к новым техпроцессам. Также компания IBM лишилась значительной части опытных инженеров, которые теперь будут разрабатывать техпроцессы в составе GlobalFoundries. Означает ли это, что IBM больше не будет уделять R&D должного внимания? Нет, не означает. Летом прошлого года компания утвердила пятилетний план по разработкам с объёмом финансирования в 3 млрд долларов США.

Ключевым моментом плана считается переход к посткремниевой электронике. Это и поиск новых материалов, и разработка техпроцессов с нормами менее 7 нм, и создание новых транзисторов. Наиболее перспективным направлением в данном случае признаётся разработка электронных приборов с использованием углеродных нанотрубок. Углеродная нанотрубка — это свёрнутый в трубочку графен. Её стенка толщиной в один атом, что позволит приблизиться к транзисторам со структурой масштаба атомов. При этом электрические свойства углеродных нанотрубок значительно превосходят электрические свойства традиционных полупроводников на основе кремния.

На днях компания IBM сообщила, что она преодолела очередной барьер на пути к транзисторам с каналом из углеродных нанотрубок. Больным местом подобных электронных приборов оставался контакт между транзисторным каналом и токопроводящими площадками с обеих сторон канала. По мере снижения масштаба производства площадь металлических контактов тоже снижалась, что вело к увеличению сопротивления в месте соединения. Возросшее сопротивление — это потери и, в итоге, ухудшение характеристик транзисторов.

Условная конструкция транзистора на основе углеродной нанотрубки (первые CNT-транзисторы будут содержать в канале от сотен до тысяч нанотрубок))

Условная конструкция транзистора на основе углеродной нанотрубки (первые CNT-транзисторы будут содержать в канале от сотен до тысяч нанотрубок)

Для решения данной проблемы в IBM создали уникальную технологию — что-то типа химической сварки. Атомы углерода в концах нанотрубок привязываются к атомам металлов в месте контакта, чем значительно снижается сопротивление контакта. Данные об эксперименте опубликованы компанией в журнале Nature от 2 октября. По словам IBM, данная технология обещает открыть путь к техпроцессам с нормами до 1,8 нм. Компания IBM в этом году уже показала опытный чип, выпущенный с нормами 7 нм. Можно ожидать, что она в дальнейшем также продолжит данную практику. 

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: