p>Компании Toshiba и SanDisk остаются единственными производителями энергонезависимой памяти, которые пока не приступили к массовому производству многослойной памяти типа 3D NAND. В отличие от них, например, компания Samsung выпускает уже третье поколение памяти 3D NAND (3D V-NAND). Компании Intel и Micron понемногу наращивают выпуск 3D NAND с начала текущего года и собираются в четвёртом квартале начать массовое производство 256-Гбит и 384-Гбит памяти 3D NAND MLC и TLC. Компания SK Hynix начала выпускать 3D NAND в заметных объёмах в третьем квартале этого года. Одни только Toshiba и SanDisk живут прошлым. Точнее — жили.

Год назад Toshiba и SanDisk приступили к перестройке одного из своих старых заводов в Йоккаичи — Fab 2. Старые здания в массе были снесены, а на их месте возведены новые корпуса, для которых партнёры уже закупили новое производственное оборудование. На днях на заводе Fab 2 специалисты компании приступили к монтажу линий по выпуску энергонезависимой памяти 3D NAND. В финансировании мероприятия компании Toshiba и SanDisk принимают совместное участие. Правда, о распределении долей не сообщается, как и нет до сих пор чётких производственных планов. Сообщается, что потребность в 3D NAND, а в определении Toshiba — это память BiCS FLASH или флеш-память с недорогим хранением данных, будет определяться конкретными рыночными условиями на момент сдачи производства в эксплуатацию.

К выпуску флеш-памяти 3D NAND завод Fab 2 приступит в первом квартале календарного 2016 года. В настоящее время у компании Toshiba есть на руках прототипы памяти 3D NAND в виде 128-Гбит и 256-Гбит 48-слойных микросхем на базе двухбитовых и трёхбитовых ячеек MLC и TLC. Вероятно, массовое производство памяти 3D NAND на заводе Fab 2 начнётся с этих образцов.

Источник:

Источник: 3DNews