Китайский завод Intel по выпуску 3D NAND сильнее всего ударит по SK Hynix- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Китайский завод Intel по выпуску 3D NAND сильнее всего ударит по SK Hynix

Новости

Китайский завод Intel по выпуску 3D NAND сильнее всего ударит по SK Hynix
24.10.2015, 14:50:11 
 
p>Свежий анонс компании Intel о планах переоборудовать свою единственную в Китае 300-мм фабрику под выпуск памяти типа 3D NAND для многих стал если не шоком, то предвестником неприятностей. Порядка десяти лет назад компания Intel свернула собственное производство флеш-пмаяти типа NOR и не проявляла активности в развитии производства флеш-памяти типа NAND. Вместо неё память NAND выпускала компания Micron, а оформлено всё это было как совместное с Micron предприятие Intel Micron Flash Technologies (IMFT). Ввод в строй собственного завода Intel по выпуску флеш-памяти типа NAND в самом совершенном её проявлении — в виде многослойных микросхем 3D NAND — способен превратить Intel в конкурента компании Micron и привести к сворачиванию деятельности компании IMFT.

Впрочем, пока развал IMFT кажется маловероятным. Зато очевидно другое — валовой объём производства флеш-памяти NAND-типа увеличится в объёме мощностей нового завода компании Intel. Ранее компания не озвучивала объёмы китайского производства Fab 68, которое она переведёт на выпуск 3D NAND. Согласно неофициальной информации, завод Intel ежемесячно может обрабатывать до 52 тыс. 300-мм кремниевых пластин. Это возможности «чистой комнаты» завода, и вряд ли затеянная компанией модернизация поможет ощутимо увеличить её пропускную способность. Полсотни тысяч пластин в месяц — это достойные объёмы. Компании Samsung и Toshiba такими не испугать, а вот компания SK Hynix сильнее всех рискует потерять кусок рынка флеш-памяти. Интересно, затеянный SK Hynix свежий проект по постройке двух полупроводниковых заводов общей стоимостью 26 млрд долларов США — это попытка усилить позиции на рынке энергонезависимой памяти, или вариант с диверсификацией для выхода на рынок контрактных полупроводников?

Возвращаясь к анонсу Intel, отметим, что на этом фоне акции компании SK Hynix за два дня подешевели на 9 %. От выпуска NAND-флеш компания получает 23 % от совокупной выручки, что составляет 4 % операционной прибыли компании. Ожидаемое давление со стороны Intel грозит ослабить данные показатели. К тому же, всё это происходит на фоне тенденций, ведущих к перепроизводству на рынке памяти типа NAND-флеш. Свежий квартальный отчёт SK Hynix гласит, что средняя цена продаж NAND-флеш за три месяца уменьшилась на 15 %, хотя объём производства памяти NAND-типа в пересчёте на ёмкость увеличился на те же 15 %. Попросту говоря, оптом память подешевела, что приведёт также к снижению розничных цен. А тут ещё Intel со своими планами...

Дешевеющая память типа DRAM и NAND стала причиной падения чистой квартальной прибыли SK Hynix по сравнению с предыдущим кварталом и по отношению к прошлогоднему третьему кварталу. За период компания получила чистую прибыль в объёме 1,048 трлн вон ($920 млн). Это на 4 % меньше, чем год назад, и на 5 % меньше предыдущего квартала. Выручка компании за период составила 4,925 трлн вон ($4,34 млрд). За год выручка увеличилась на 14 %, а за квартал — на 6 %. Объём производства микросхем памяти DRAM за квартал возрос на 11 %, но также на 11 % средняя цена продаж этой продукции сократилась. В перспективе компания рассчитывает на увеличение спроса на мобильную память для смартфонов и планшетов, а также на увеличение спроса на память типа DDR4.

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: