p>Несмотря на то, что конференция International Solid-State Circuits Conference 2016 стартует только в феврале следующего года, уже сейчас можно узнать о некоторых интересных разработках, которые будут там показаны. Это важное для полупроводниковой отрасли событие каждый год посещают несколько тысяч профессиональных разработчиков микросхем.

Традиционно с серией докладов на ISSCC выступит компания Samsung. Она расскажет о своих достижениях в области чипов DRAM и флеш-памяти. Гвоздем программы станет доклад о 128-Мбит встраиваемой SRAM-памяти, выпущенной с использованием 10-нм технологии FinFET. Диаметр ячейки чипа составляет всего 0,04 мкм. Это самые маленькие SRAM-ячейки в отрасли.

Особое внимание Samsung уделит рассказу о 3D-стеке из восьми чипов DRAM, который обеспечит пропускную способность памяти 307 Гбит/с. Для сравнения, на ISSCC 2014 подобное решение характеризовалось пропускной способностью 128 Гбит/с. Конкурент Samsung, компания SK hynix покажет свою версию 3D-стека с пропускной способностью 256 Гбит/с.

Отдельный доклад Samsung посвятит 256-Гбит флеш-чипу с тремя битами на ячейку. Такой высокой ёмкости удалось добиться благодаря объединению на одном полупроводниковом кристалле 48 слоёв ячеек. В этой области опять же у Samsung есть конкуренты. Компания Micron расскажет о своём флеш-чипе ёмкостью 768 Гбит и площадью 179,2 мм². Это самая высокая плотность записи информации для чипов памяти такого типа. Все подобные разработки нацелены на твёрдотельные накопители.

Особое внимание планирует привлечь MediaTek с докладом о первом в отрасли трёхкластерном 10-ядерном процессоре, который включает три CPU-кластера на основе архитектуры ARMv8a. Кластеры оптимизированы для работы на частотах 1,4, 2,0 и 2,5 ГГц. По сравнению с двухкластерными CPU, третий кластер обеспечивает увеличение общей производительности на 40 %, а также увеличение энергоэффективности на 40 %. Архитектуру с тремя кластерами, как известно, использует чип Helio X20.

Источник:

Источник: 3DNews