p>Ещё в августе прошлого года на одной из закрытых презентаций компания Samsung рассказала о планах по выпуску памяти типа HBM (High Bandwidth Memory). Как сообщали осведомлённые источники, этот южнокорейский производитель запустит в производство память HBM в первом квартале 2016 года. До этого времени единственным производителем памяти HBM остаётся компания SK Hynix. Один поставщик — это всегда риск дефицита продукции, что мы и наблюдали едва ли не до самого конца осени. Первые видеокарты компании AMD с использованием микросхем HBM достаточно долго были дефицитным товаром.

Другим ограничением «сольного» выступления SK Hynix можно было считать отсутствие выбора в пределах модельного ряда. Компания выпускала одну единственную версию микросхем HBM — четырёхслойные чипы ёмкостью 1 Гбайт. Из таких микросхем можно было собрать единственную разумную комбинацию бортовой памяти на подложке с GPU AMD Fiji — в виде четырёх микросхем общей ёмкостью 4 Гбайт. Использовать две микросхемы HBM было бы неразумно, а шесть — слишком дорого. Компания Samsung, как было известно из планов, собиралась выпускать память HBM сразу с использованием улучшенных спецификаций и большей ёмкости, что гарантировало разнообразие.

Сегодня этот день настал. Компания Samsung официально сообщила о начале массового производства памяти HBM «второго поколения». Уточним, что обновлённые спецификации HBM не предусматривают использования того или иного упоминания о втором поколении этого типа памяти, хотя Samsung смело использует в описании новинок термин HBM2. Понятно, что это удобнее. Сразу понятно, о чём идёт речь. Тем не менее, автор оставляет за собой право использовать наименование «HBM2» в кавычках.

Массовое производство памяти «HBM2» компания Samsung начала с выпуска четырёхслойных микросхем ёмкостью 4 Гбайт. Каждая микросхема состоит из четырёх 8-Гбит кристаллов, выпущенных с использованием техпроцесса класса 20 нм и сквозных вертикальных TSVs соединений. Само собой, в каждом стеке присутствует пятый слой в виде контроллера стека. Каждый кристалл содержит 5000 отверстий TSVs — это колоссальный расход площади кристалла, поэтому целью всех производителей было и остаётся снижение диаметра отверстий для сквозной металлизации.

Также память «HBM2» компании Samsung может похвастаться увеличенной вдвое скоростью обмена по внешнему интерфейсу — это 256 Гбайт/с, что в семь раз быстрее, если сравнивать с передовыми 4-Гбит микросхемами GDDR5 (36 Гбайт/с). Пара таких микросхем уже способна организовать достойную бортовую память для современных графических процессоров. На выходе мы получим 8 Гбайт со скоростью обмена 512 Гбайт/с. Но самой интересной окажется конфигурация из четырёх таких микросхем — 16 Гбайт со скоростью обмена 1 Тбайт/с. Надеемся, к середине года компания AMD сможет порадовать нас подобной конфигурацией в составе ожидаемого флагмана Greenland.

Что замечательно, компания Samsung не собирается останавливаться на достигнутом. В течение года Samsung планирует выпустить 8-Гбайт микросхемы «HBM2». Судя по предыдущим утечкам — это будут восьмислойные стеки из 8-Гбит кристаллов. Теперь уже можно не сомневаться, памяти HBM быть!

Источник:

Источник: 3DNews