p>В копилке сигнальных интерфейсов компании Rambus есть много чего интересного. За свои бесконечные иски к производителям памяти её прозвали самой юридической компанией Кремниевой долины. Но в своей сфере опыт разработок у неё такой, что многие позавидуют. Кроме сигнального интерфейса памяти SDRAM, который к сегодняшнему дню эволюционировал в сигнальную структуру DDR4 и GDDR5, в активе Rambus есть последовательный интерфейс R+, который используется в широком спектре решений. На основе базовой конфигурации физического уровня (PHY) интерфейса R+ можно организовать интерфейсы PCI Express, SATA, SAS, Ethernet, HMC, Fibre Channel и многое другое, что требует скоростной передачи данных по ограниченному числу линий (каналов).

Ровно так же, как в случае совершенствования сигнального интерфейса SDRAM, интерфейс Rambus R+ помалу наращивает скорость обмена. Так, на днях компания Rambus сообщила о разработке PHY-версии интерфейса Rambus R+ со скоростью 28 Гбит/с, адаптированной для производства с использованием второго поколения 14-нм FinFET техпроцесса компании Samsung. Тем самым клиенты Rambus получат не только самый быстрый в своём роде последовательный интерфейс, но также ощутят выгоду от новейшего техпроцесса в виде высокой плотности расположения элементов и предельной энергоэффективности.

Интерфейс Rambus R+ в виде готового PHY-проекта для встраиваемых решений распространяется на лицензионной основе. Его можно встроить в виде контроллера в состав SoC или процессора. Свежая разработка в лице интерфейса Rambus R+ 28G ориентирована на использование в активном сетевом оборудовании для центров обработки данных в каналах с пропускной способностью до 100 Гбит/с. В компании рассчитывают, что рост спроса на доступ к удалённым данным и требования к увеличению скорости обмена потребуют новых энергоэффективных решений. Поэтому интерфейс Rambus R+, как говорится, придётся ко двору.

Источник: 3DNews