p>Несмотря на то, что абсолютное большинство производимых сегодня типов оперативной памяти с динамическим доступом (dynamic random access memory, DRAM) соответствует принятым индустриальным стандартам и не являются проприетарными, далеко не все производители DRAM изготавливают микросхемы всех современных стандартов. К примеру, компания Micron Technology до сих пор не обозначила никаких планов поддержи многослойной памяти типа HBM (high bandwidth memory).

Память HBM разрабатывалась в тесном сотрудничестве Advanced Micro Devices и SK Hynix начиная с 2006 года, став индустриальным стандартом в 2013 году. Несмотря на то, что спецификация HBM была принята JEDEC, отраслевым консорциумом, который устанавливает стандарты для DRAM и NAND, лишь SK Hynix производит данный тип памяти в промышленных масштабах. Недавно JEDEC опубликовал спецификации HBM второго поколения (HBM gen 2, HBM2), формально одобренные членами комитета разработчиков, среди которых крупнейшие производители DRAM, включая Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology. Samsung уже успела формально анонсировать свои микросхемы HBM2, SK Hynix рассказала о своих чипах HBM2 на конференции ISSCC 2016, тогда как Micron полностью проигнорировала новый стандарт. Компания не только не анонсировала микросхемы HBM2, но и не обозначила планов по их производству на своей конференции для аналитиков, прошедшей ранее в этом месяце.

«На сегодняшний день Micron не анонсировала каких-либо намерений касательно HBM публично», — заявил представитель Micron в электронном письме.

В течение долгих лет компания Micron отдаёт особое внимание выпуску специализированных типов памяти, а также решений на их базе, цена которых не подвержена колебаниям, как цены на традиционные DDR и NAND. Так, компания производит RLDRAM для устройств, которым требуются минимальные задержки (по сравнению со стандартной DRAM) при большой ёмкости (относительно SRAM); XTRMFlash для приложений, которым нужна NOR флеш-память и высочайшая производительность (скорость чтения у данного типа NOR составляет 400 Мбайт/с); HMC (hybrid memory cube) для систем, которым требуется максимальная пропускная способность (наиболее производительные микросхемы Micron HMC второго поколения поддерживают пропускную способность в 160 Гбайт/с). Позже в этом году Micron начнёт поставки памяти GDDR5X для будущих графических карт и 3D XPoint для производительных твердотельных накопителей. Кроме того, Micron предлагает решения на базе DRAM с высокой добавленной стоимостью, например, энергонезависимые модули NVDIMM на базе микросхем DDR3 и супер-конденсатора AgigA Tech PowerGEM, которые сочетают производительность DRAM и энергонезависимость NAND.

Принимая во внимание стратегию Micron, полный отказ от поддержки HBM едва ли имеет смысл для компании. Однако следует помнить, что HBM2 конкурирует как c GDDR5X, так и с HMC на рынках графических карт, суперкомпьютеров, сетевого оборудования, игровых приставок и специализированных устройств. В последние годы специалисты Micron были заняты разработкой HMC второго и третьего поколений, GDDR5X, 3D XPoint и рядом других проектов, при этом компания могла отдать приоритеты разработке «своих» стандартов памяти. Таким образом, Micron может быть не готова сегодня говорить об HBM2 как потому, что начнёт производство памяти данного типа памяти позже конкурентов, так и для того, чтобы не снижать долгосрочную конкурентоспособность HMC и GDDR5X.

Учитывая, что создание сложных микросхем занимает три–четыре года (с момента начала разработки архитектуры и кончая выпуском на рынок), а ключевые решения касающиеся архитектуры, технологических процессов, поддерживаемых типов памяти и т. п. принимаются в начале цикла, Micron есть смысл показать потенциально заинтересованным сторонам, что HBM не поддерживается всей индустрией DRAM, а также то, что HMC имеет ряд преимуществ (вроде узкой шины данных и минимальных физических размеров интерфейса, потенциальной пропускной способности до 320 Гбайт/с на чип и т. д.) и может быть поставлен как Micron, так и Samsung (которая хоть и поддерживает HMC, входя в соответствующий консорциум, но никогда не производила данную память).

JEDEC опубликовала стандарт JESD235A, описывающий память HBM второго поколения, в начале этого года. Среди ключевых нововведений стандарта значатся увеличение ёмкости используемых устройств DRAM до 8 Гбит, поддержка доступа к DRAM при помощи так называемых псевдоканалов, а также увеличение скорости передачи данных до 1000 МТрансферов/с (мегатрансферов в секунду). Первые микросхемы памяти HBM2 будут использовать четыре слоя DRAM ёмкостью 8 Гбит каждый (общая ёмкость сборки — 4 Гбайт) и иметь пропускную способность в 256 Гбайт/с.

Источник:

Источник: 3DNews