В Samsung создан 10-нм модуль памяти LPDDR4 ёмкостью 6 Гбайт- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  В Samsung создан 10-нм модуль памяти LPDDR4 ёмкостью 6 Гбайт

Новости

В Samsung создан 10-нм модуль памяти LPDDR4 ёмкостью 6 Гбайт
20.05.2016, 21:09:37 
 
p>Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для использования в мобильных устройствах — смартфонах, фаблетах и планшетах.

Показанное изделие выполнено по 10-нанометровой технологии. Ёмкость составляет 6 Гбайт, что в настоящее время является максимумом для мобильных аппаратов.

Предполагается, что новый модуль ОЗУ будет применяться во флагманском фаблете Galaxy Note 6, анонс которого ожидается позднее в текущем году. Использование 10-нанометрового техпроцесса обеспечит повышение быстродействия и снижение энергопотребления по сравнению с памятью нынешнего поколения.

По слухам, Galaxy Note 6 получит 5,8-дюймовый дисплей формата QHD (2560 × 1440 точек). Устройство якобы будет предлагаться в версиях с чипом Exynos 8 Octa 8890 (восемь вычислительных ядер, графический контроллер ARM Mali-T880) и процессором Snapdragon 823 (четыре ядра, графический блок Adreno 530).

Среди других характеристик фаблета называются сканер для идентификации пользователей по радужной оболочке глаза, симметричный порт USB Type-C и аккумуляторная батарея ёмкостью 4000 мА·ч. В качестве программной платформы будет использоваться операционная система Android 6.0 Marshmallow. 

Источники:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: