p>Незадолго до официальной премьеры высокопроизводительных процессоров Intel Broadwell-E, которая пройдёт в рамках выставки Computex Taipei 2016 в предстоящий понедельник, 30 мая, характеристики новых чипов «утекли» в Сеть. Попавшие в руки наших зарубежных коллег с сайта WCCFTech слайды подтвердили более раннюю информацию о том, что новая серия CPU Intel класса HEDT (High End Desktop) будет состоять из четырёх моделей, изготавливаемых по 14-нм технологическому процессу и совместимых с материнскими платами на чипсетах X99.

Самым доступным представителем данного квартета выступает шестиядерный Core i7-6800K, оценённый в $434. Старшим же в семействе является Core i7-6950X, количество вычислительных ядер у которого равно десяти, при этом его стоимость превышает $1700. Столь внушительный ценник, скорее всего, объясняется тем, что Core i7-6950X — первый на рынке десятиядерный процессор для настольных ПК.

Модель	Core i7-6950X	Core i7-6900K	Core i7-6850K	Core i7-6800K
Техпроцесс	14 нм	14 нм	14 нм	14 нм
Кол-во ядер/потоков	10/20	8/16	6/12	6/12
Частота (номинал)	3,0 ГГц	3,2 ГГц	3,6 ГГц	3,4 ГГц
Частота (Turbo Boost)	3,5 ГГц	3,7 ГГц	3,8 ГГц	3,6 ГГц
Кеш L3	25 Мбайт	20 Мбайт	15 Мбайт	15 Мбайт
Разблокированный множитель	да	да	да	да
Чипсет	X99	X99	X99	X99
Разъём	LGA 2011-3	LGA 2011-3	LGA 2011-3	LGA 2011-3
Кол-во линий PCI-E	40	40	40	28
Тип памяти	DDR4-2400	DDR4-2400	DDR4-2400	DDR4-2400
TDP	140 Вт	140 Вт	140 Вт	140 Вт
Цена	$1723	$1089	$617	$434

Кроме перечисленных в таблице основных характеристик четырёх новых CPU о них также известно, что они поддерживают разгон отдельных ядер, а благодаря технологии Turbo Boost Max 3.0 их производительность в одно- и в многопоточном режимах возросла в среднем на 15 % (прирост вычислен на основании результатов сравнения Core i7-6950X и Core i7-5960X). Однако подробности о Turbo Boost Max 3.0 пока не раскрываются — о них, вероятно, расскажут непосредственно в ходе презентации в понедельник.

Зато уже сейчас известно количество транзисторов, размещённых в представителях серии Intel Broadwell-E: для кристаллов площадью 246 мм² оно составляет 3,4 млрд, для кристаллов 305 мм² — 4,7 млрд. Для сравнения: предыдущее поколение Haswell-E на площади 355 мм² могло содержать лишь 2,6 млрд транзисторов.

Источник:

Источник: 3DNews