Контрактные цены на память для ПК и смартфонов поползли вверх- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Контрактные цены на память для ПК и смартфонов поползли вверх

Новости

Контрактные цены на память для ПК и смартфонов поползли вверх
07.07.2016, 09:32:57 
 
p>Некоторое время назад аналитики торговой площадки TrendForce забили тревогу: разовые кратковременное контракты на поставки микросхем оперативной памяти для ПК впервые за многие месяцы показали рост цен. Дальнейшее наблюдение за рынком подтвердило озвученный в июне прогноз: контрактные цены на память пока стабилизировались, но в третьем квартале ожидается их рост.

За неполные два года средняя договорная цена на модули памяти DDR4 ёмкостью 4 Гбайт снизилась на 62 %: с $32,75 в октябре 2014 года до $12,5 в июне 2016 года. К июню объёмы поставок микросхем DRAM снизились настолько, что крупные OEM-сборщики компьютерных систем приступили к закупкам новых партий раньше ожидаемого. Предполагается, что в третьем квартале это приведёт к росту средних закупочных цен на память на величину от 4 % до 8 %.

DRAMeXchange

DRAMeXchange

Основной движущей силой увеличения спроса на память станут серверный рынок и рынок смартфонов. Компьютерные системы по-прежнему будут оказывать мало воздействия на формирования цен на DRAM. В связи с плохим спросом на модули памяти для ПК южнокорейские производители модулей сократили их выпуск, что предсказуемо вызвало некоторый рост цен. «Отыграться» производители планируют на смартфонах, которые нынешней осенью получат до 6 Гбайт оперативной памяти, и на серверных системах, которые в среднем увеличат предложение до 110 Гбайт на систему. В первом случае прирост «памяти на корпус» составит 36 % за год, во втором — 25 % за год.

Другим фактором повышения стоимости контрактов на поставку DRAM станет рост цен на флеш-память NAND. Последняя растёт в цене из-за сезонного увеличения спроса на SSD, eMCP и eMMC (модули флеш-памяти для смартфонов) и по причине временной остановки китайского завода компании Samsung из-за очередного землетрясения. Рост цен на DRAM в данном случае обусловлен перераспределением мощностей в пользу производства памяти NAND, а также из-за остановки завода Samsung, который кроме NAND-флеш выпускал также модули памяти для ПК и смартфонов. К 1 июля, отмечают наблюдатели, все факторы совокупно привели к тому, что спотовые цены на микросхемы DDR3 4 Гбит в среднем выросли на 9 % — до $1,65.

Интересно отметить, что производители микросхем памяти надеются увеличить выручку не только за счёт роста цен на фоне лёгкой паники, но также за счёт совершенствования производства. Точнее, миграция на новые техпроцессы не приведёт к снижению цен на микросхемы, а повысит выручку производителей. Так, компания Samsung полным ходом переводит производство памяти на 18-нм нормы, компания SK Hynix на 20-нм, а Micron на 21-нм. Это особенно важно для компании Micron, которая показала убытки за последний финансовый квартал и вынуждена до сентября сократить 2400 человек. Жизнь налаживается?

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: