p>Твердотельные накопители с ёмкостью больше, чем у традиционных жёстких дисков, – не такая уж и редкость. Однако в силу своей дороговизны почти все они позиционируются как серверные решения. На рынке же потребительских SSD максимальная ёмкость доходит лишь до 1-2 Тбайт, причём двухтерабайтные предложения – это скорее экзотика. Фактически единственными накопителями объёмом 2 Тбайт, которые можно отнести к числу массовых продуктов, следует считать Samsung 850 EVO и Samsung 850 PRO, которые были представлены в прошлом году. Для их выпуска инженерам Samsung пришлось изрядно попотеть: для столь объёмных SATA-накопителей был специально спроектирован особый контроллер MHX, в котором видоизменился интерфейс DRAM и добавилась поддержка до 4 Гбайт DDR3 SDRAM. Но зато в результате проведённой работы в распоряжении компании оказалась платформа, позволяющая легко масштабировать ёмкость потребительских SATA SSD и дальше. До недавних пор южнокорейскую компанию сдерживало лишь то, что производимые ей 32-слойные чипы TLC 3D V-NAND имели размер по 128 Гбит, и это не позволяло выйти за пределы двухтерабайтного объёма, пользуясь контроллером с восьмиканальной архитектурой.

В конце прошлого года Samsung приступила к выпуску трёхмерной памяти следующего, третьего поколения, базирующейся на обновлённом 48-слойном дизайне. Рост числа уровней 3D V-NAND позволил увеличить плотность хранения данных и довести ёмкость устройств TLC 3D V-NAND до 256 Гбит. А это, в свою очередь, дало возможность без особых проблем удвоить предельный объём SSD, чем Samsung и не преминула воспользоваться, дополнив линейку 850 EVO очередным 2,5-дюймовым накопителем с ёмкостью 4 Тбайт.

Иными словами, Samsung вновь смогла продемонстрировать своё технологическое лидерство. Мало того, что вся серия 850 EVO, которая основывается на флеш-памяти с трёхбитовой ячейкой, по параметрам быстродействия и надёжности умудряется конкурировать с лучшими SATA SSD на базе планарной MLC-памяти, так теперь ещё в её составе появилась экстраёмкая вариация, аналогов которой у других производителей попросту нет и в ближайшее время не предвидится. Поэтому, как только накопители Samsung 850 EVO 4 Тбайт оказались в России, мы сразу же решили «пощупать» такую диковинку на практике.

⇡#Samsung 850 EVO 4 Тбайт в подробностях

Серию Samsung 850 EVO вполне можно отнести к числу старожилов: первые накопители под этой маркой появились ещё в 2014 году, но за счёт обновления начинки и добавления новых моделей она продолжает оставаться актуальной и по сей день. Поэтому нет ничего удивительного в том, что новая модель Samsung 850 EVO 4 Тбайт совсем не похожа на накопители той же самой серии первой волны. В ней стоит более новая TLC 3D V-NAND третьего поколения и контроллер, который появился в 2015 году. Тем не менее с точки зрения потребительских характеристик преемственность полностью сохранена. Кроме того, Samsung 850 EVO 4 Тбайт сильно похож на своих собратьев с меньшей ёмкостью ещё и по внешнему виду.

Внутри же этого накопителя стоит печатная плата, очень сильно напоминающая плату из 2-терабайтной версии 850 EVO. На ней используется точно такой же контроллер Samsung MHX, вокруг которого расположено восемь микросхем флеш-памяти плюс 4-гигабайтный чип DDR3L SDRAM.

Каждая микросхема флеш-памяти содержит внутри себя по 16 новых, 256-гигабитных 48-слойных кристаллов TLC 3D V-NAND третьего поколения — то есть суммарная ёмкость одного такого чипа достигает 512 Гбайт.

Кстати сказать, штабелировать по 16 чипов флеш-памяти в одну микросхему Samsung научилась сравнительно давно.

Поэтому среди продуктов Samsung нет и не было накопителей, где бы стояло сразу 16 микросхем флеш-памяти, а печатная плата занимала бы весь объём внутри 2,5-дюймового корпуса.

Ничего выдающегося в этом на самом деле нет: по 16 чипов в одну микросхему флеш-памяти умеют упаковывать и другие производители, например Toshiba. Однако с выходом третьего поколения V-NAND подход Samsung приобрёл некоторую уникальность. Дело в том, что теперь в микросхемах с 16 кристаллами внутри, помимо собственно флеш-памяти, появилась дополнительная логика – два буферных чипа F-Chip. Эти чипы позволяют контроллеру работать по единой шине сразу с несколькими NAND-устройствами, что значительно упрощает электронный дизайн накопителя и позволяет снизить влияние электромагнитных наводок на целостность передаваемых сигналов.

В появлении 4-Тбайт накопителя внедрение F-Chip сыграло особую роль: увеличение ёмкости устройств V-NAND до 256 Гбайт могло привести к росту трафика и неминуемым коллизиям в каналах контроллера, но, благодаря дополнительному уровню буферизации, подобных негативных эффектов удалось избежать.

В итоге по сравнению с 2-Тбайт версией 850 EVO, которую мы тестировали год назад, в конструкции поменялся состав и увеличилась ёмкость чипа DRAM, но количество микросхем флеш-памяти осталось неизменным. Да и в остальном внутреннее устройство у новинки почти такое же, разве только обновилась прошивка.

Мало отличается новинка от 2-Тбайт накопителя и по паспортным характеристикам. Заявленный объём составляет 4000 Гбайт, но на резервный фонд и работу внутренних алгоритмов контроллера отводятся обычные для Samsung 850 EVO 9 процентов от общей ёмкости массива флеш-памяти. Пропорционально увеличен в 4-Тбайт накопителе и объём SLC-кеша, работающего в рамках технологии TurboWrite. Теперь его размер вырос до внушительных 48 Гбайт, так что в подавляющем большинстве задач все операции записи будут происходить через кеш, без задействования памяти в TLC-режиме. Но поскольку производительность старших моделей 850 EVO давно ограничивается возможностями SATA-интерфейса, скоростные показатели для Samsung 850 EVO 4 Тбайт заявлены абсолютно такие же, как и для моделей меньшей ёмкости.

Но один момент в характеристиках всё же настораживает — это заявленный ресурс записи. На всех представителей серии Samsung 850 EVO распространяется пятилетняя гарантия, но в реальности условия гарантийного обслуживания сформулированы несколько хитрее: оно действует либо в течение пяти лет, либо до исчерпания ресурса записи – в зависимости от того, что случится первым. Так вот, для 850 EVO 4 Тбайт этот ресурс установлен таким же, как и для версии объёмом 2 Тбайт, – всего 300 Тбайт.

Таким образом, производитель даёт гарантию лишь на 75 полных перезаписей своего нового накопителя, и у многих пользователей этот момент вызывает не самые положительные эмоции, вплоть до активного негодования.

Однако нужно понимать, что ограничение по ресурсу не связано с низкой надёжностью Samsung 850 EVO, чему есть многочисленные подтверждения. Например, проводимые нашей лабораторией тесты выносливости показывают, что даже на 250-гигабайтную версию 850 EVO с TLC 3D V-NAND третьего поколения можно без каких-либо проблем записать более петабайта данных, а значит, 4-Тбайт модификация легко сможет пережить несколько петабайт перезаписей. На то же самое косвенно указывает и установленный в 7 Пбайт ресурс серверного накопителя PM1633a объёмом 3,84 Тбайт, который основан на точно такой же  48-слойной TLC 3D V-NAND, как и 850 EVO.

Всё это однозначно говорит о том, что невысокая заявленная для Samsung 850 EVO 4 Тбайт выносливость – это отнюдь не техническая характеристика, а лишь средство позиционирования. Производитель хочет склонить пользователей, сценарий работы которых с дисковой подсистемой предполагает постоянную перезапись больших объёмов данных, к приобретению более дорогих моделей. Samsung 850 EVO 4 Тбайт же – это обычный потребительский SSD, типичный сценарий эксплуатации которого – хранение пользовательских файлов, и потому ограничение в 165 Гбайт записи в день для него не выглядит чересчур строгим.

Ещё один любопытный момент – рекомендованная цена Samsung 850 EVO 4 Тбайт, которая составляет $1 499. Она оказалась более чем вдвое выше стоимости Samsung 850 EVO 2 Тбайт ($699), что делает новинку пусть и статусным, но не самым выгодным приобретением. Понятно, что производитель считает наценку за новизну и уникальность четырёхтерабайтника вполне справедливой. Однако, если учесть это, а также ситуацию с ресурсом, более рентабельным вариантом может оказаться покупка двух накопителей 850 EVO объёмом по 2 Тбайт и сборка из них массива RAID 0.

Источник: 3DNews