p>В августе этого года на форуме Flash Memory Summit корпорация Western Digital объявила о планах использовать резистивную память с произвольным доступом (restistive random access memory, ReRAM) в качестве памяти для SSD-накопителей c повышенной производительностью. Это так называемые SCM-накопители (storage class memory), которые должны занять промежуточное положение между DRAM и классическими твердотельными накопителями. Память типа ReRAM должна идеально подходить для этой задачи, поскольку она обещает сочетать скорости доступа, близкие к характеристикам памяти DRAM и при этом быть энергонезависимой.

Из скупого на подробности доклада представителей компании Western Digital можно было представить, что новый класс твердотельных накопителей будет опираться на разработки компаний SanDisk и Toshiba. И действительно, компании SanDisk и Toshiba уже три года назад могли похвастаться опытными экземплярами 32-Гбит памяти ReRAM, а год назад SanDisk и HP подписали договор о совместной разработке памяти ReRAM. С мая этого года компания SanDisk перешла в собственность компании Western Digital, что автоматически перевело её разработки в руки нового владельца. Однако на днях появилась информация, что компания Western Digital держит руку на пульсе у ещё одной технологии ReRAM.

Как стало известно, такое подразделение Western Digital, как Hitachi GST, два года подряд работает с молодой австралийской компанией 4DS. Летом нынешнего года HGST и 4DS заключили ещё один договор о совместных работах на следующий год. Суть работ заключается в повышении надёжности хранения данных в ячейке памяти ReRAM и в разработке технологий, увеличивающих число циклов стирания ячеек ReRAM. Очевидно, что разработки 4DS — это независимый проект, а не совершенствование разработок SanDisk и Toshiba. Это подводит нас к тому, что Western Digital рассматривают несколько вариантов памяти ReRAM. Впрочем, это неудивительно. Сегодня наберётся не менее двух десятков различных технологий работы резистивной памяти с произвольным доступом.

По словам руководства 4DS, разработка компании выгодно отличается от конкурирующих вариантов. Во-первых, само строение ячейки ReRAM 4DS обещает бóльшую плотность записи по сравнению с памятью 3D NAND в случае использования одинакового техпроцесса. Уточним, компания 4DS экспериментирует с ячейками ReRAM, выпущенными в рамках 40-нм техпроцесса, тогда как память 3D NAND сегодня массово выпускается с использованием  техпроцессов в диапазоне от 45 до 50 нм.

Другим преимуществом разработки 4DS называется реализованный принцип работы памяти. Это память с переключением рабочего слоя, когда сопротивление ячейки меняется сразу во всём рабочем слое (Interface Switching ReRAM или Non-Filamentary ReRAM). Альтернативой этому может служить память с образованием нитевидных токопроводящих «волокон» из ионов серебра в рабочем слое ячейки. Такую память разработала компания Crossbar и, что важно, о готовности производства памяти Crossbar ReRAM с использованием 40-нм техпроцесса уже сообщил крупнейший в Китае контрактный производитель — компания SMIC. Похоже, на этом направлении становится жарко. Но разве нам об этом жалеть?

Источник:

Источник: 3DNews