В России начата разработка перспективных типов транзисторов- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  В России начата разработка перспективных типов транзисторов

Новости

В России начата разработка перспективных типов транзисторов
02.11.2016, 17:02:18 
 
p>Холдинг «Росэлектроника» (входит в госкорпорацию Ростех) приступил к разработке перспективных типов транзисторов, которые найдут применение в самых разнообразных электронных устройствах.

Речь, в частности, идёт о транзисторах на основе нитрида галлия (GaN) и о так называемых спиновых полевых транзисторах.

Отмечается, что изделия на основе GaN откроют широкие возможности в производстве блоков питания различных типов, в развитии мобильной и космической связи. В частности, такие транзисторы позволят значительно уменьшить габариты БП, адаптеров и зарядных устройств. А это даст возможность сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов.

В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объёмы передаваемого трафика за счёт большего диапазона частот. Благодаря высокой радиационной стойкости новые транзисторы будут востребованы в сфере космической связи. Опытные образцы изделий планируется получить в 2017 году.

Что касается спиновых полевых транзисторов, то они обеспечат очень высокую скорость переключения между состояниями и низкое энергопотребление. Серийное производство таких изделий пока не освоено нигде в мире.

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: