Технология упаковки Samsung FoPLP сделает чипы ещё компактнее- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Технология упаковки Samsung FoPLP сделает чипы ещё компактнее

Новости

Технология упаковки Samsung FoPLP сделает чипы ещё компактнее
27.11.2016, 10:46:14 
 
p>В первой половине 2017 года компания Samsung Electronics планирует интегрировать в производство новую технологию упаковки чипов FoPLP (Fan-out Panel Level Package). По сравнению с традиционными решениями в корпусах PoP, FoPLP позволяет увеличить количество контактов ввода/вывода в полупроводниковых устройствах, а также уменьшить толщину чипов. К достоинствам FoPLP относится снижение себестоимости производства.

Samsung FoPLP позволит уменьшить чипы

Samsung FoPLP позволит уменьшить толщину чипов

Если в крупногабаритных приборах преимущества новой технологии упаковки не столь очевидны, то при разработке мобильных устройств, когда каждая доля миллиметра играет роль, FoPLP может оказаться очень актуальной. 

Qualcomm Snapdragon 830 будет использовать новую технологию Samsung

Qualcomm Snapdragon 835 будет использовать новую технологию Samsung

Как отмечают эксперты, упаковка Fan-out является одним из ключевых направлений в отрасли наряду с иммерсионной литографией и диэлектриками High-K. Компания TSMC вела разработку собственной Fan-out-технологии на протяжении нескольких лет. Она получила имя InFO (Integrated Fan-out) и нашла применение в процессоре A10, который используется в iPhone 7. Также к технологиям этого типа, позволяющим уменьшить толщину чипов благодаря размещению микросхем рядом друг с другом, относится FoWLP.

Samsung и Qualcomm планируют применить FoPLP в своих процессорах приложений следующего поколения. Samsung заключила контракт с Qualcomm, которая будет использовать 10-нм технологию FoPLP в своих чипах Snapdragon 835.

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: