p>SK Hynix добавила в каталог своей продукции сборку микросхем памяти типа LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт. Новое устройство, наряду с аналогом производства Samsung, открывает производителям смартфонов и планшетов возможность создавать смартфоны и планшеты с 8 Гбайт оперативной памяти.

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти LPDDR4 использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 3733 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 29,8 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Модуль памяти поставляется в корпусе типа FBGA-366 размером 15 × 15 мм и может быть использован как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package). Компания SK Hynix принимает заказы на сборку в корпусе FBGA-366 уже сейчас, а начиная с первого квартала 2017 года добавит в семейство продукцию аналогичный модуль в упаковке FBGA-376 с другими напряжениями питания.

Компания SK Hynix использует технологический процесс 21 нм для изготовления 16-Гбит микросхем памяти LPDDR4. Главный конкурент SK Hynix, корпорация Samsung Electronics, применяет для изготовления аналогичных чипов техпроцесс 18 нм, что позволяет компании предлагать своим клиентам на 14 % большую скорость передачи данных (4266 Мтрансферов/с), что ценно для производительных устройств с мощным графическим ядром.

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4-3733 ёмкостью 8 Гбайт
	H9HKNNNFBUMUBR-NMH	H9HKNNNFBMMUDR-NMH
Ёмкость микросхемы памяти	16 Гбит
Количество микросхем памяти	4
Скорость передачи данных	3733 Мтрансферов/с
Ширина шины	64 разряда
Пропускная способность	29,8 Гбайт/с
Упаковка	FBGA-366 15 мм × 15 мм	FBGA-376 15 мм × 15 мм
Напряжение питания	1,8/1,1/1,1 Вольт	1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс	21 нм
Время доступности	Четвёртый квартал 2016	Четвёртый квартал 2017

Хотя модуль память LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт использует стандартные для данного типа напряжения питания, SK Hynix не указывает количество потребляемой им энергии. Между тем, если только компания не оптимизировала энергопотреблением своих 16-Гбит интегральных схем относительно предшественников, то при неизменном технологическом процессе они потребляют на 25 % больше в сравнении с чипами ёмкостью 12 Гбит. Таким образом, увеличение объёма памяти может сказаться на времени работы устройств.

Компания SK Hynix пока не делала никаких формальных заявлений касательно начала поставок 8-Гбайт сборок микросхем памяти LPDDR-3733. Обычно производители ОЗУ объявляют о старте продаж лишь после поставки первой коммерческой партии продукта (чего, видимо, пока не произошло). Тем не менее, само по себе добавление модуля LPDDR4 ёмкостью 8 Гбайт в каталог продукции компании означает, что устройство готово к массовому производству. По всей видимости, первые телефоны или планшеты на базе данной сборки появятся на рынке в 2017 году.

Источники:

Источник: 3DNews