p>Свежеиспеченный китайский производитель компьютерной и энергонезависимой памяти 3D NAND — компания Yangtze Memory Technologies (по другой версии — Yangtze River Storage Technology) — определилась с видом и поколением будущей продукции, которую она начнёт выпускать с 2018 года. Согласно комментариям исполнительного директора YMT (YRST), Чарльза Кау (Charles Kau), микросхемы DRAM «национальной» памяти стартуют с техпроцесса 18–20 нм, а «национальная» память 3D NAND начнёт свой жизненный путь с 32-слойного поколения. Также до конца года будет представлен разработанный техпроцесс для производства 64-слойной 3D NAND.

Если все заявленные цели будут достигнуты, технологический зазор между китайскими производителями и лидерами отрасли — компаниями Micron, Samsung и Sk Hynix — сократится до минимального значения. Безусловно, по объёмам производства китайские чипмейкеры в лице YMT (YRST) и двух других компаний всё ещё будут серьёзно отставать от мировых лидеров рынка DRAM и NAND. Это отставание может быть сокращено ближе к 2025 году, когда все запланированные в Китае новые заводы по выпуску памяти выйдут на полную мощность и будут построены новые производства.

Что касается актуальности разработок китайцев, то мы напомним, что с этого года начинается по-настоящему массовый выпуск 64-слойной NAND. К июлю память с 64 слоями начнёт выпускать новый завод Samsung, а давно работающее предприятие компании в Южной Корее нарастит объёмы производства за счёт перевода линий с выпуска 32-слойной памяти на 64-слойную. Также объёмы выпуска 64-слойной NAND увеличит компания Toshiba. Ограниченный выпуск такой памяти она начала в августе прошлого года. Компания SK Hynix пока выпускает 48-слойную NAND, но со второй половины текущего года приступит к выпуску 72-слойной NAND TLC. Тем самым китайцы в 2018 году будут выпускать 32-слойную память NAND, на год отставая от лидеров рынка.

Похожая картина с производством DRAM. В настоящий момент компания Samsung в ограниченных количествах выпускает 18-нм память DRAM. У компаний Micron и SK Hynix имеются в активе техпроцессы выпуска DRAM с нормами класса 10 нм, но с внедрением в массовое производство пока есть трудности. Китайцы же сразу намерены вскочить на подножку поезда под номером «18». Это амбициозно, но совершенно неясно, насколько выполнимо в сжатые сроки. Ведь память нужна уже сейчас, а разработка — это долгая история чреватая, к тому же, судебными разборками. Вспомним свежую историю, когда Micron на прошлой неделе заблокировала процесс разработки технологии выпуска DRAM в центре исследований тайваньской компании UMC. Препятствий на этом пути настолько много, что делать прогнозы практически невозможно.