Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

Новости

Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4
19.04.2018, 09:49:29 
 
p>Мы не раз рассказывали, что основу производства «национальной» памяти DRAM и NAND в Китае начали закладывать три компании — это Yangtze Memory Technologies Company (производство 3D NAND), JHICC (производство DRAM) и Innotron Memory (производство DRAM). Для этого все они к уже имеющимся в их распоряжении заводам примерно полтора года назад начали строить новые фабрики с прицелом на обработку значительных объёмов 300-мм пластин. Компания Yangtze Memory, например, планирует ежемесячно обрабатывать до 300 тыс. кремниевых подложек диаметром 300 мм. Это произойдёт лишь к середине следующего десятилетия, но, тем не менее, впечатляет.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании JHICC (JHICC )

На этой неделе каждая из трёх компаний сообщили об успешном прохождении фазы завоза в новые цеха промышленного оборудования, которое теперь предстоит установить и настроить. Будущий производитель 3D NAND компания Yangtze Memory начала этот процесс 11 апреля и даже получила первый заказ на поставку 32-слойных 64-Гбит чипов 3D NAND. Компания JHICC, о чём мы тоже рассказывали на днях, планирует завершить установку оборудования до июля и обещает уже в сентябре начать опытный выпуск микросхем памяти типа DRAM.

Последней о текущей ситуации на новом заводе доложила компания Innotron Memory. Сообщается, что первая фаза строительства новых цехов завершена в январе этого года. Тогда же начался завоз на предприятие производственного оборудования. Опытное производство на линиях первой очереди стартует в конце 2018 года с планами начать массовый выпуск чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит в 2019 году. В течение следующего года объёмы производства памяти DDR4 на 300-мм подложках планируется довести до 20 тыс. пластин в месяц.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании Yangtze Memory Technologies (Tsinghua, CCTV13)

Строительство цехов второй очереди компания начнёт в 2020 году. В 2021 году Innotron Memory рассчитывает завершить разработку техпроцесса для выпуска памяти DRAM с технологическими нормами 17 нм. Руководство компании подчёркивает, что намерено самостоятельно разрабатывать техпроцессы и использовать для этого исключительно местное сырьё и производственное оборудование китайских компаний. Компанией Innotron Memory, кстати, руководит бывший генеральный директор компании SMIC Дэвид НК Вон (David NK Wang). В своё время он был председателем компании Huahong NEC и вице-президентом компании Applied Materials, в которой возглавлял азиатское подразделение компании. Это управленец с громадным специфическим опытом, который готов сделать свою работу на отлично.


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: