Transcend PCIe SSD 110S: накопители формата М.2 2280 вместимостью до 512 Гбайт- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Transcend PCIe SSD 110S: накопители формата М.2 2280 вместимостью до 512 Гбайт

Новости

Transcend PCIe SSD 110S: накопители формата М.2 2280 вместимостью до 512 Гбайт
19.05.2018, 10:32:31 
 
p>Компания Transcend анонсировала серию твердотельных накопителей PCIe SSD 110S (MTE110S), выполненных в соответствии со спецификацией NVMe 1.3.

Изделия имеют форм-фактор M.2 2280: их размеры составляют 22 × 80 мм. Основой служат микрочипы флеш-памяти 3D TLC NAND и контроллер Silicon Motion SM2263T.

Спецификация NVMe описывает доступ к SSD с помощью шины PCI Express — в данном случае PCIe 3.0 x4. Это обеспечивает более высокие показатели скорости чтения и записи, а также позволяет снизить задержки.

«Твердотельный накопитель MTE110S предназначен для оснащения высокопроизводительных систем, использующихся для задач, которые требуют максимального уровня готовности и не допускают малейших задержек — рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений», — заявляет Transcend.

В серию вошли три модели — вместимостью 128 Гбайт (TS128GMTE110S), 256 Гбайт (TS256GMTE110S) и 512 Гбайт (TS512GMTE110S). Скорости последовательного чтения и записи данных, а также показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) приведены в таблице ниже:

 

128 Гбайт

256 Гбайт

512 Гбайт

Чтение, Мбайт/с

1600

1800

1800

Запись, Мбайт/с

400

800

1500

IOPS при чтении

90 000

110 000

180 000

IOPS при записи

90 000

95 000

150 000

Для обеспечения максимального уровня качества твердотельные накопители Transcend проходят тщательное тестирование на всех этапах производства, в том числе проверяются на виброустойчивость, термо- и влагоустойчивость, производительность и функциональность. Гарантия — пять лет. 


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: