GlobalFoundries готовит переход на 20-нм нормы- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  GlobalFoundries готовит переход на 20-нм нормы

Новости

GlobalFoundries готовит переход на 20-нм нормы
20.06.2012, 11:00:00 
 

Журналисты ресурса BSN имели возможность недавно пообщаться с Джейсоном Горсом (Jason  Gorss) из GlobalFoundries и главой отдела передовых технологических архитектур Субрамини Кенгери (Subramani Kengeri), дабы обсудить последние тенденции в развитии контрактного производителя чипов.

Для начала стоит сказать, что ожидания GlobalFoundries относительно более быстрого роста рынка производства чипов по сравнению с темпами полупроводниковой индустрии в целом становятся реальностью: в то время как рост индустрии находится на уровне 5% в год, бизнес производства чипов растёт вдвое быстрее. Ожидается, что бизнес производства чипов возрастёт с $304 млрд в 2011 году до $384 млрд в 2016 году. В то же время ожидается, что бизнес производства чипов с соблюдением передовых норм (65 нм и ниже) удвоится с $15 млрд до $34 млрд. Дабы поучаствовать в разделе этого полупроводникового пирога, GlobalFoundries ускоряет освоение 20-нм норм, желая внедрить их уже в следующем году.

В 20-нм нормах GlobalFoundries придётся отказаться от технологии gate-first, чтобы не доставлять лишних сложностей партнёрам

Важнейшим изменением станет то, что в отличие от 28/32-нм техпроцесса high-k/gate-first сообщества Common Platform, 20-нм нормы будут полагаться на технологию high-k/gate-last, которую использует Intel и TSMC. Это позволит компаниям без слишком больших инженерных хлопот переводить производство своих чипов с мощностей TSMC на IBM/GlobalFoundries/Samsung.

При разработке 20-нм норм GlobalFoundries активно сотрудничает со своими партнёрами в рамках альянса Common Platform Alliance (IBM и Samsung) для того, чтобы техпроцесс был максимально дружественным к производству систем на чипе, сохраняя при этом преимущества высокой частоты, которая отличала 32- и 28-нм нормы.

На слайде приведены тесты чипа ARM Cortex-A9, произведённого с соблюдением 20-нм норм GlobalFoundries в сравнении с аналогичными чипами конкурентов и 28-нм техпроцессом самой компании

20-нм нормы GlobalFoundries, оптимизированные для мобильных чипов (Low-Power-Mobile), нацелены на получение заказов от таких компаний, как Qualcomm, Texas Instruments или даже NVIDIA. Весьма интересным игроком здесь является Qualcomm, чьи первые 28-нм чипы от GlobalFoundries начнут поставляться в третьем квартале. Несомненно, сотрудничество может продолжиться в и рамках 20-нм норм.

Переход с 28-нм на 20-нм техпроцесс сулит большие выгоды — ключевое соотношение производительности-энергопотребления-стоимости обещает быть вдвое более привлекательным на новых нормах.

Уменьшение чипа на 20-нм нормы открывает новые возможности по плотности транзисторов

Переход на 20-нм нормы весьма важен для индустрии — он позволит производителям мобильных чипов создавать процессоры для смартфонов и планшетов, насчитывающие более миллиарда транзисторов. Первые 20-нм чипы, впрочем, не выйдут ранее последней четверти 2013 года.

Что же после 20-нм и 14-нм норм?

После 20-нм норм все производители начнут внедрять транзисторы FinFET (Intel уже внедрила 3D-транзисторы в 22-нм техпроцессе). В 14-нм нормах ключевые игроки рынка (Common Platform, TSMC, SMIC и Intel), как ожидается, будут использовать транзисторы FinFET. Intel, вероятно, продолжит применять подложку из монолитного кремния, тогда как Common Platform (IBM, GlobalFoundries и Samsung) предложат также технологию SOI (кремний на изоляторе).

При этом в 28-нм и 20-нм нормах SOI применяться не будет — в этой связи AMD и уходит от SOI вплоть до 2014/15 года, когда появится возможность производства 14-нм чипов FinFET+FD-SOI. Тем не менее, планы по освоению 20-нм норм показывают, что GlobalFoundries пока удерживает свои позиции. Время покажет, насколько успешным окажется противостояние с TSMC.


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: