По данным из индустриальных источников на Тайване, на которые ссылается интернет-ресурс DigiTimes, китайский производитель памяти компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) полным ходом ведёт подготовку линий к массовому выпуску памяти LPDDR4. Компания ChangXin, известная также под именем Innotron Memory, как утверждается, разработала собственный техпроцесс производства DRAM с использованием 19-нм технологических норм.

К коммерческому выпуску памяти на своём первом 300-мм предприятии ChangXin должна была приступить в первой половине 2019 года. Увы, пока этого не произошло. Но старт производства 8-Гбит чипов DDR4 LPDDR4 будет сопровождаться расширением мощностей до 20 тыс. 300-нм кремниевых подложек в месяц. Максимальная мощность линий на предприятии ChangXin достигает 125 тыс. 300-мм пластин в месяц. Но это тоже не предел. В компании сообщили, что в следующем году начнут строить второй завод для обработки 300-мм подложек с памятью.

Источник: 3DNews