Согласно официальному утверждению IBM, магниторезистивную память MRAM изобрели в компании в 1996 году. Разработка появилась после изучения тонкоплёночных структур для магнитных пластин и магнитных головок жёстких дисков. Обнаруженный инженерами компании эффект магнитных туннельных переходов подтолкнул к мысли использовать явление для организации ячеек полупроводниковой памяти. Сначала память MRAM компания IBM разрабатывала вместе с Motorola. Затем лицензии были проданы компаниям Micron, Toshiba, TDK, Infineon и массе других компаний. К чему этот экскурс в историю? Оказалось, что обширными патентами на технологии производства MRAM обладает компания Seagate
Источник: 3DNews