На очередном собрании инвесторов компания Inotera Memories заявила о запуске пробного выпуска 4-Гбит микросхем DDR2 DRAM на основе передового 30-нм техпроцесса. Как отмечает производитель, во втором квартале этого года Inotera успешно прошла сертификацию 42-нм 2-Гбит чипов DDR DRAM, 42-нм 4-Гбит DDR3 DRAM, а также 30-нм 2-Гбит DDR3 DRAM.

На текущий год компания запланировала перевести весомую часть своих производственных мощностей на 30-нм проектные нормы. До конца 2012 года доля 30-нм чипов в совокупном количестве выпущенных ею микросхем составит одну треть. До ноября Inotera планирует увеличить ежемесячный объём выпуска 12-дюймовых пластин с 30-нм чипами с 40 до 50 тысяч единиц.

Во втором квартале производитель отгрузил 322 тысячи 12-дюймовых пластин с DRAM-микросхемами. Это на 26,77% больше по сравнению с предыдущим кварталом. Доходы компании за второй квартал составили $318,9 млн, а чистые убытки — $99,3 млн. 

Источник: 3DNews