Kioxia и Western Digital представили 162-слойную память 3D NAND- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  Kioxia и Western Digital представили 162-слойную память 3D NAND

Новости

Kioxia и Western Digital представили 162-слойную память 3D NAND
19.02.2021, 08:01:00 
 
p>Японская компания Kioxia (бывшая Toshiba Memory) и её партнёр Western Digital вошли в клуб производителей 170-слойной флеш-памяти 3D NAND. Подобную память в виде опытных партий уже начали выпускать компании Micron Technology и SK Hynix. Увеличение числа слоёв более чем на треть снизит себестоимость хранения данных, что сделает SSD-накопители ещё более популярной продукцией.

Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Завод Kioxia по производству памяти 3D NAND в Японии

Правда, Kioxia не уточняет, когда начнёт выпускать новую память, которую она причисляет к фирменной флеш-памяти шестого поколения. Если верить сторонним источникам, это произойдёт в следующем году. Надо сказать, что компания и так чрезмерно загружена финансовыми обязательствами, чтобы начинать перестройку линий. Вскоре она начнёт строить новый завод для производства 3D NAND и лишних денег, вероятно, у неё нет.

Что касается новой разработки, то она представляет собой 162-слойную структуру 3D NAND. Это чуть меньше, чем в случае с 176-слойной 3D NAND Micron и 176-слойной 3D NAND SK Hynix. В то же время Kioxia утверждает, что она смогла на 10 % увеличить плотность размещения ячеек памяти в горизонтальной плотности, что вместе с увеличением слоёв со 112 до 162 в совокупности позволило уменьшить размер кристалла на 40 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Тем самым с каждой 300-мм пластины будет выходить на 70 % больше бит, чем в предыдущем поколении, а это прямой путь к снижению стоимости хранения данных.

Другим важным новшеством при производстве 162-слойной флеш-памяти 3D NAND стало размещение управляющих цепей (контроллера) под массивом памяти. Это не только уменьшило площадь чипа, но также увеличило производительность памяти. В Kioxia сообщают, что скорость работы выросла почти в 2,4 раза, как и на 10 % снизились задержки в режиме чтения. Вместе это на 66 % увеличило производительность операций ввода-вывода. Тем самым новая память стала не только дешевле и плотнее, но также существенно нарастила скорость работы, что можно только приветствовать.

Источник:


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: