DRAMeXchange ожидает рост рынка NAND-памяти в третьем квартале- Новости ИТ - Сервис
 
Главная страница


комплексные ИТ-решения

ВАШИ ИДЕИ
СТАНУТ РЕАЛЬНОСТЬЮ!

  
   


Самый полный
спектр ИТ-услуг
  Решения в области
Информационных технологий
 
 
 

 

 Главная  /  Новости  /  новости IT-рынка  /  DRAMeXchange ожидает рост рынка NAND-памяти в третьем квартале

Новости

DRAMeXchange ожидает рост рынка NAND-памяти в третьем квартале
07.11.2012, 02:16:00 
 

По оценкам аналитиков DRAMeXchange, в третьем квартале поставки модулей флеш-памяти типа NAND вырастут по сравнению с предыдущим кварталом на 6,6% до $4,6 млрд, причем объем поставок в количественном выражении вырастет на 10%, а средняя цена модулей снизится на 3%.

DRAMeXchange ожидает рост рынка NAND-памяти в третьем квартале

Компания DRAMeXchange выразила уверенность, что Samsung Electronics останется крупнейшим поставщиком микросхем памяти (в стоимостном выражении) с долей рынка около 39,3%. Вслед за ней в мировом рейтинге поставщиков чипов памяти NAND будут располагаться Toshiba с 26,2% рынка, Micron Technology (14.9%), SK Hynix (11,6%) и Intel (7,6%).

Укреплению позиций поставщиков микросхем памяти NAND способствовало снижение производства по сравнению с предыдущем кварталом, характеризовавшимся кризисом перепроизводства и переизбытком продукции на складах. Позитивную роль сыграло и увеличение спроса на смартфоны в связи с появлением новых моделей.

DRAMeXchange отмечает, что Samsung увеличит в дальнейшем производство флеш-памяти NAND по нормам 21-нм технологического процесса, в то время как Toshiba нарастит производство памяти с использованием 19-нм техпроцесса до 70% общего объема, а SK Hynix увеличит к конце третьего квартала долю чипов памяти на базе 20-нм процесса в общем объеме до 50%.

В ближайшее время, как ожидает DRAMeXchange, рост цен на флеш-память типа NAND не предвидится. Поэтому стоимость модулей NAND-памяти может сохраниться на нынешнем уровне до января 2013 г.


Источник: 3DNews

 
 
Новости:    Предыдущая Следующая   
 Архив новостей

Разделы новостей:

Подписаться на новости:

 

Поиск в новостях: