p>В ходе очередного визита на Тайвань председателя компании Yangtze Memory Technologies Чарльза Кау (Charles Kau) было заявлено, что 64-слойная флеш-память 3D NAND будет готова для производства в Китае в 2019 году. Образцы 32-слойной 3D NAND китайский производитель начнёт поставлять в конце текущего года. Массовое производство 32-слойной 3D NAND, судя по всему, стартует в 2018 году. Если Yangtze Memory Technologies реализует всё запланированное, к 2020 году китайский производитель по технологичности выпуска флеш-памяти будет отставать от лидера отрасли — компании Samsung — всего на два года.

Представитель китайского бизнеса по выпуску памяти не зря выступил с этим заявлением на Тайване. Тайваньские производители памяти (DRAM и NAND) не располагают собственными разработками в области выпуска чипов. Они получали технологии в обмен на гарантированные поставки микросхем памяти донорам технологий. В разное время это были Elpida, Infineon, Qimonda и Micron. Сейчас китайцы предлагают тайваньским производителям заложить фундамент будущей независимости и совместно создать пул патентов, который бы позволил выпускать память без оглядки на конкурентов из Южной Кореи, Японии или США.

Вполне предсказуемо, что заявленные выше планы сталкиваются с противодействием со стороны лидеров отрасли. Так, в начале апреля стало известно, что компания Micron своими действиями привела к остановке разработки технологии памяти в лабораториях тайваньской компании UMC. В компании UMC группа инженеров из Китая и местные специалисты разрабатывали технологию производства памяти DRAM для запуска на совместном предприятии в Поднебесной.

Также Micron обвинила ряд своих бывших инженеров из числа тайваньского персонала в воровстве технологий. Как сказал на это Чарльза Кау, его компания ищет таланты, а не специалистов по промышленному шпионажу. Поэтому от принятых на работу бывших сотрудников филиалов компании Micron требуется опыт работы, а не конфиденциальные документы или секреты.